設備型號 ：JCP500
真空腔室結構 ：立式前開門結構 后置抽氣系統
真空腔室尺寸 ：Φ500mm×H420mm
加熱溫度 ：室溫～ 500℃
基片臺尺寸 ：Φ150mm
膜厚不均勻性 ：Φ100mm 范圍內≤ ±5.0%
濺射靶： Φ3 英寸磁控靶 3 支 兼容 DC/MF/RF 濺射
工藝氣體 ：2-3 路氣體流量控制
控制方式 ：PLC/PC（可選）
占地面積 （主機） ： L1900mm×W800mm×H1900mm
總功率 ：≥ 10kW

大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備

1. 可提供工藝技術支持，及良好售后服務；

2. 設備結構緊湊，占地面積小，性價比高，性能穩定，使用維護成本低；

3. 單靶濺射 / 多靶依次濺射或共同濺射，兼容 DC/MF/RF 濺射等功能 。

4. 可制備單層及多層金屬膜、介質膜、半導體膜、耐熱合金膜、硬質膜、耐腐蝕摸、透明導電膜，如鈣鈦礦空穴傳輸層、金屬電極以及透明導電層ITO膜層的制備等”；