設備型號：TEMD500

鍍膜方式：E 型電子槍

真空腔室結構：立式圓柱形側開門結構，后置抽氣系統

真空腔室尺寸：Φ500mm×H600mm

加熱溫度：室溫～ 300℃

基片臺尺寸：平板型 Φ200mm

膜厚不均勻性：≤ ±5.0%

考夫曼離子源：可選

蒸發源：電子槍 10KW，６穴坩堝，國產／進口（可選）， 配２套電阻蒸發

控制方式：PLC/PC（可選）

占地面積：L2500mm×W1600mm

總功率：≥ 17kW

適用范圍 ：大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備 

1. 設備一體化設計，占地面積小，性價比高，性能穩定，使用維護成本低；

2. 可用于生產線前期工藝試驗等；

3. 實驗室制備導電薄膜、半導體膜、光學薄膜等，可同手套箱復合使用。

1. 設備一體化設計，占地面積小，性價比高，性能穩定，使用維護成本低；

2. 可用于生產線前期工藝試驗等；

3. 實驗室制備導電薄膜、半導體膜、光學薄膜等，可同手套箱復合使用。