設備型號：JCPY500 

真空腔室結構：后置抽氣系統

真空腔室尺寸：Φ500mm×H450mm帶 Load-Lock 功能 支持單片或多片進取樣

加熱溫度 ：室溫～ 500℃

基片臺尺寸：Φ150mm

膜厚不均勻性 ：Φ100mm 范圍內≤ ±5.0%

濺射靶 ：Φ3、Φ4 英寸磁控靶 2-4 支（可選）

工藝氣體 ：3 路氣體流量控制

控制方式 ： PLC/PC（可選）

占地面積 （主機） ：L1800mm×W800mm×H1845mm

總功率 ：≥ 15kW

大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備

1. 可提供工藝技術支持，及良好售后服務；

2. 設備結構緊湊，占地面積小，性價比高，性能穩定，使用維護成本低；

3. 單靶濺射 / 多靶依次濺射或共同濺射，兼容 DC/MF/RF 濺射等功能 。

4. 可制備單層及多層金屬膜、介質膜、半導體膜、耐熱合金膜、硬質膜、耐腐蝕摸、透明導電膜，如鈣鈦礦空穴傳輸層、金屬電極以及透明導電層ITO膜層的制備等”；