設備型號：ZHD600
鍍膜方式：多源蒸發鍍膜
真空腔室結構：立式圓柱前開門
真空腔室尺寸：Φ650mm×H800mm
加熱溫度：室溫～ 300℃
基片臺尺寸：平板或傘罩型
膜厚不均勻性：≤ ±5.0%
蒸發源：2-3 組金屬蒸發源
控制方式：PLC/PC（可選）
占地面積：主機 L1000mm×W1200mm×H1900mm
總功率：≥ 12kW

大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備 。

1. 設備一體化設計，占地面積小，性價比高，性能穩定，使用維護成本低；

2. 設備配備多組蒸發源，兼容有機蒸發與無機蒸發 , 多源共蒸獲得復合膜。設計專業，功能強大，性能穩定；

3. 適用于實驗室制備金屬單質膜、半導體膜、有機膜，也可用于生產線前期工藝試驗等。