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工藝過程低應力
低耗材成本COC和運營成本COO
低排放可保護環境
整合了無應力拋光、化學機械研磨、濕法刻蝕、干法刻蝕工藝
電拋光液和濕法刻蝕液可實時循環使用
減少化學和耗材使用量
設備尺寸（mm）：4100(長)*2600(寬)*2650(高)
| 序號 | 應用 | 描述 | 使用化學 |
| 1 | 雙大馬士革工藝超低K銅互連 | CMP+SFP+Clean+TFE | Slurry,Electrolyte,DHF,Xef2 |
| 2 | 雙大馬士革工藝5nm及以下釕阻擋層互連結構 | CMP+SFP+Clean+Wet Etch | Slurry,Electrolyte,Etchant |
| 3 | 晶圓級封裝 （3D硅通孔，2.5D轉接板，再布線，扇出） | CMP+SFP+Clean+Wet Etch | Electrolyte,Slurry,Etchant |
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