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Primo TSV? 高性能、高產能的深硅刻蝕設備品牌
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硅通孔技術已經成為先進封裝應用的關鍵技術，應用于CMOS圖像傳感器、2.5D、三維芯片和芯片切割等領域。Primo TSV?是中微推出的首款用于高性能硅通孔刻蝕應用的高密度等離子體硅通孔刻蝕設備。每臺系統可配置多達三個雙反應臺的反應腔。每個反應腔可同時加工兩片晶圓。中微提供的8英寸和12英寸硅通孔刻蝕設備，均可刻蝕孔徑從低至1微米以下到幾百微米、深度可達幾百微米的孔洞，并具有工藝協調性，可根據客戶的需求產生不同的刻蝕形狀（例如垂直、圓錐形和錐形等）。Primo TSV還具有多種新穎的功能，諸如預熱反應臺、晶圓邊緣保護環、低頻射頻脈沖、側引入氣體均勻化技術等，為TSV應用提供所需的高技術、靈活性和生產能力。
硅通孔技術已經成為先進封裝應用的關鍵技術，應用于CMOS圖像傳感器、2.5D、三維芯片和芯片切割等領域。Primo TSV?是中微推出的首款用于高性能硅通孔刻蝕應用的高密度等離子體硅通孔刻蝕設備。每臺系統可配置多達三個雙反應臺的反應腔。
高性能、高產能的深硅刻蝕產品
電感式耦合高密度等離子體源的雙反應臺刻蝕腔 高功率射頻等離子體源，并具有連續或脈沖的射頻偏壓 具有快速氣體轉換的內置氣箱 晶圓邊緣保護環 制程終端光學控制系統 可調節的雙發射天線 競爭優勢產品特點
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