Primo AD-RIE?是中微第二代電介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品。基于已被認(rèn)可的Primo D-RIE?刻蝕設(shè)備，Primo AD-RIE應(yīng)用了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新設(shè)計(jì)，配備了可切換雙低頻射頻源，優(yōu)化了上電極氣流分布以及下電極溫控系統(tǒng)。為了優(yōu)化生產(chǎn)效率，Primo AD-RIE系統(tǒng)同樣可以靈活地裝置多達(dá)三個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔（即六個(gè)反應(yīng)臺(tái)）。Primo AD-RIE具備能夠滿足新一代芯片器件制造需求的先進(jìn)性能，目前已被廣泛應(yīng)用于40到14納米后段制程。
此外，中微基于Primo AD-RIE開(kāi)發(fā)了子系列產(chǎn)品Primo AD-RIE-e和Primo AD-RIE-cr。Primo AD-RIE-e配備了自主研發(fā)的四區(qū)動(dòng)態(tài)靜電吸盤，每一制程步驟可獨(dú)立進(jìn)行控溫，以達(dá)到更高的刻蝕均勻度和刻蝕選擇比，目前已應(yīng)用于5納米前段和中段的掩膜層刻蝕的開(kāi)發(fā)及量產(chǎn)。Primo AD-RIE-cr配備了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)涂層技術(shù)的抗腐蝕反應(yīng)腔，可應(yīng)對(duì)電介質(zhì)材料、金屬及金屬氧化物材料復(fù)雜結(jié)構(gòu)的刻蝕要求。