原子層沉積技術

原子層沉積系統：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供**的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

原子層沉積系統應用：

• 高介電薄膜

• 疏水涂層

• 鈍化層

• 深硅刻蝕銅互連阻擋層薄膜

• 微流控臺階涂層

• 用于催化劑層的單金屬涂層的燃料電池

ALD-4000原子層沉積系統特點：

• 獨立的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統

• Labview軟件，具備四級密碼控制的用戶授權保護功能

• 安全互鎖設計，強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3， AlN， TiN， ZrO2， LaO2， HfO2，等等）

• 12”的鋁質反應腔體，帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋

• *多7個50ml的加熱汽缸，用于前驅體以及反應物，同時帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥

ALD-4000原子層沉積系統選配項：

• NLD-4000系統的選配項包含自動L/UL上下載(用于6”基片)

• ICP離子源(用于等離子增強的PEALD)

• 臭氧發生器

等等客戶定制選項

案例：6”晶圓片上的均勻性數據