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EBPG5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟EBPG5200一樣的通用光刻平臺設計，對電子束直寫應用進行了優化。它可以載入不同大小的樣品，包括多片散片以及完整的硅片。
00001. 高束流密度，熱場發射電子槍可以在20、50和100kV之間切換
00002. 155mm的平臺
00003. *小曝光特征尺寸小于8nm
00004. 高速度曝光，可采用50或100MHz的圖形發生器
00005. 在所有KVs加速電壓下，可連續改變的寫場大小，**可以到1mm
00006. GUI人機交互界面友好，簡潔易用，適用于多用戶環境
00007. 多項靈活可選擇的配置，可以適用于不同應用的需求
EBPG5150可以選擇不同的升級選項，以滿足用戶不同的技術和預算需求。讓全世界的高校等研究類用戶也可以使用這款非常先進、高自動化的電子束光刻系統。
· 電子束曝光用于制作GaAs T型器件
· 微盤諧振器
· 開口環諧振器
主要應用： · 100KV高加速電壓可用于曝光高深寬比納米結構 · 高速電子束直寫 · 批量生產，如化合物半導體器件 · 防偽標識 | 電子光學柱技術： · EBPG · 電子束 · 100 kV |
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