中國粉體網(wǎng)訊 當摩爾定律逼近物理極限，單純依靠晶體管微縮提升芯片性能愈發(fā)艱難，先進封裝技術成為延續(xù)半導體性能躍升的關鍵路徑。它跳出單一芯片微縮框架，通過2.5D/3D堆疊、Chiplet集成等創(chuàng)新，將不同功能芯片高效互連，實現(xiàn)系統(tǒng)級集成。
玻璃通孔（TGV）金屬化是先進封裝領域的關鍵技術之一，它通過在玻璃基板上形成垂直電氣互連來實現(xiàn)3D集成。該技術因其高頻電學特性優(yōu)良、工藝簡單、成本較低以及可調(diào)的熱膨脹系數(shù)等優(yōu)勢而受到廣泛關注。
當前TGV金屬化面臨的技術難點主要包括金屬化過程中銅-玻璃界面結(jié)合力問題以及高深徑比玻璃基板通孔無缺陷的電鍍填充等。上海天承化學有限公司通過在玻璃表面涂敷一層金屬氧化薄膜后進行化學沉銅，解決了銅-玻璃界面結(jié)合力弱等問題，同時通過脈沖電鍍搭橋結(jié)合直流盲孔超填充兩步法實現(xiàn)玻璃通孔的無空隙填充，為TGV提供了完整的金屬化解決方案。
為強化行業(yè)信息交流，中國粉體網(wǎng)將于2025年7月30日在無錫舉辦2025玻璃基板與TGV技術大會。屆時，上海天承化學有限公司首席技術官韓佐晏將作題為《玻璃基板通孔金屬化解決方案》的報告，分享其關于TGV金屬化的關鍵研究。
專家簡介：
韓佐晏，天承科技CTO，北京大學應用化學專業(yè)學士，香港中文大學化學專業(yè)博士。曾先后在陶氏化學電子材料亞洲研發(fā)中心，杜邦中國研發(fā)中心，華為2012實驗室從事電子電鍍相關技術與產(chǎn)品的研發(fā)和應用研究。
參考來源:
劉明迪.玻璃基板化學鍍銅方法研究
(中國粉體網(wǎng)編輯整理/月明)
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