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【原創】玻璃基板鍵合技術:讓芯片從"平房"變"高樓"的關鍵工藝


來源:中國粉體網   月明

[導讀]  鍵合技術是玻璃基封裝技術核心工藝

中國粉體網訊  在我們日常生活中,智能手機、電腦、智能家居設備越來越智能,背后離不開芯片技術的飛速發展。就像城市發展從平房向高樓大廈演進一樣,芯片制造也正在經歷從二維結構到三維集成的變革。而玻璃基板鍵合技術,正是這場變革中讓芯片"疊高樓"的核心工藝。

 

芯片制造的"后摩爾時代"挑戰

 

過去幾十年,芯片性能提升主要依靠制程微縮,也就是把芯片上的晶體管做得越來越小。當制程工藝逼近3nm以下時,遇到了物理極限,導致芯片發熱嚴重、功耗劇增,依賴縮小尺寸提升性能的老路越走越窄,業界稱之為"后摩爾時代"。

 

隨著Chat GPT、無人駕駛等人工智能技術爆發,算力需求呈指數級增長。知名計算機專家吳軍曾形容,Open AI每訓練一次,就相當于3000輛特斯拉同時跑30多公里。這就要求芯片不僅算力強,還要功耗低,就像汽車既要跑得快,又要省油。傳統二維芯片就像單層廠房,空間有限,而三維集成技術則把芯片變成"摩天大樓",通過立體堆疊大幅提升算力密度。

 

玻璃基板:三維芯片的"理想地基"

 

在三維芯片領域,玻璃基板堪稱“理想地基”。其卓越的性能為芯片發展筑牢根基,憑借較低的介電常數,玻璃基板在高頻信號傳輸中展現出強大優勢,損耗遠低于傳統硅材料,為5G、6G乃至未來更高速的通信場景提供了穩定保障。同時,玻璃基板采用面板工藝生產,成本大幅降低至硅基方案的八分之一,且天然絕緣特性簡化了工藝步驟,在提升生產效率的同時,有效控制成本。

 

玻璃通孔(TGV)技術作為玻璃基板應用的關鍵一環,更是為三維芯片搭建起高效“運輸網絡”。飛秒激光誘導刻蝕技術,以“光刀”精準加工出通孔,結合磁控濺射、蝶形電鍍等工藝,構建出低阻導電通路。表面的多層銅布線(RDL),將信號對準誤差控制在極小范圍,如同精密的交通樞紐,讓芯片間的信號傳輸既高效又精準,使玻璃基板成為推動三維芯片技術發展的理想之選。


鍵合工藝:讓芯片"疊高樓"的"超級膠水"

 

鍵合工藝作為三維封裝的核心技術,需在低溫條件下實現異質材料界面高強度結合,并精準調控鍵合層的電學特性(絕緣/導通),是構建高可靠性三維互連架構的關鍵挑戰。玻璃基鍵合技術通過界面化學重構與機械互鎖機制,已廣泛應用于MEMS諧振器、光子集成電路及微流控傳感器的封裝領域,其核心在于解決玻璃與硅、金屬或聚合物等異質材料間的熱-力-電協同匹配問題。

 

在玻璃基三維封裝中,垂直互連通常依賴TGV通孔內的導電金屬填充如(Cu、Ti)。通過物理氣相沉積(PVD)結合電鍍工藝實現通孔金屬化后,需借助鍵合技術完成多層玻璃基板或芯片的堆疊集成。目前的鍵合工藝包括熱壓擴散鍵合、陽極鍵合、超高真空表面活化室溫鍵合等。

 

熱壓擴散鍵合:熱壓擴散鍵合作為玻璃基三維封裝的主流技術,通過熱物理作用實現界面原子級互擴散。在高溫下,特別是超過玻璃化轉變溫度時,玻璃的表面化學狀態會發生顯著變化,這些變化涉及表面化學鍵的重排或新的表面結構的形成,這是熱壓縮鍵合過程的基礎。

 

陽極鍵合:陽極鍵合,又稱電場輔助鍵合或靜電鍵合,該技術通過熱場與電場的協同作用,驅動玻璃中堿金屬離子的定向遷移,實現玻璃與金屬、半導體的原子級鍵合。在典型工藝中,玻璃-硅體系被加熱至300~500℃的熱激活溫度區間,同時施加500-1500V直流電場,在這種情況下,玻璃材料變得更柔軟,玻璃中的鈉離子在電場驅動下向陰極遷移,形成厚度約10-50μm的鈉耗盡層,與此同時,氧陰離子擴散至硅表面,與硅原子反應生成2-5nm厚的非晶態氧化硅過渡層,最終通過Si-O-Si共價鍵實現高強度界面結合。

 

 

活化液體錫焊料陽極鍵合工藝示意圖  來源:Wim.Optimized solder alloy for glass-to-metal joints by simultaneous soldering and anodic bonding

 

超高真空表面活化室溫鍵合:為消除傳統熱鍵合工藝中熱應力引發的界面失穩效應,研究者開發出基于超高真空表面活化改性的室溫鍵合技術。該技術通過高能離子束轟擊鍵合表面,實現污染物剝離與氧化層刻蝕,同時誘導表層原子化學態重構,暴露出高活性亞穩態原子層,進而在室溫條件下通過物理接觸即可形成高強度化學鍵合。


 

表面活化鍵合原理圖 來源:《表面活化室溫鍵合技術研究進展》(張洪澤等)

 

結語:

 

從手機到衛星,從AI到量子計算,玻璃基板鍵合技術就像芯片制造中的"隱形基建"。當我們驚嘆于AI模型的智能、5G網絡的速度時,正是這些看似微小的工藝創新,在幕后支撐著科技革命的大廈。隨著技術不斷突破,未來的芯片可能像樂高積木一樣自由組合,而玻璃基板鍵合技術,正是連接這一切的"科技膠水",讓更多不可能成為可能。

 

參考來源:

傅覺鋒.玻璃基鍵合技術研究進展

張洪澤.表面活化室溫鍵合技術研究進展

李文磊.玻璃通孔的結構控制方法及電磁特性研究

Wim.Optimized solder alloy for glass-to-metal joints by simultaneous soldering and anodic bonding

 

(中國粉體網編輯整理/月明)

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