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12吋快速熱處理設(shè)備 RTP-XPEED-IDP品牌
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低壓ISSG設(shè)備因其超高的薄膜質(zhì)量及1/100 納米的膜厚控制精度廣泛應(yīng)用于40、28nm以及28nm以下柵極氧化物和淺槽隔離 liner的生長；解耦等離子體氮化及退火工藝可以降低柵極漏電密度并改善NBTI特性，也在先進(jìn)的邏輯和存儲技術(shù)前道工藝中得到應(yīng)用。
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