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為半導體晶圓存儲容器（FOUP）設計的自動化清洗設備，通過多槽化學清洗、超聲波空化、噴淋漂洗、干燥等工藝，高效去除FOUP表面的油污、顆粒、氧化物及工藝殘留物，適用于半導體制造、封裝測試、先進研發實驗室等場景，滿足ISO 14644 Class 10潔凈度要求。
核心優勢
全自動智能化清洗
機器人上下料：集成機械臂自動抓取FOUP，實現全程無人化操作；
多槽聯動設計：化學清洗→超聲波清洗→噴淋漂洗→熱風干燥，全流程閉環控制；
工藝參數可調：通過PLC+觸摸屏編程，精準設置溫度（20°C-80°C）、時間、超聲波頻率等參數。
高精度潔凈度保障
UF級超純水漂洗：配備0.1μm顆粒過濾器，杜絕二次污染；
PFA/PTFE耐腐蝕槽體：兼容HF、H2O2、DI Water等化學液，適應嚴苛清洗環境；
顆粒去除率≥99.99%：殘留物≤0.03μm，滿足先進制程需求（如5nm以下芯片）。
高效節能與安全合規
化學液循環系統：減少耗材消耗，降低運行成本；
低溫干燥技術：避免FOUP變形或材質損傷；
SEMI S8/S2認證：防爆設計、泄漏檢測、緊急停機功能，確保操作安全。
靈活適配性
兼容多種FOUP規格：支持12英寸、14英寸標準盒及定制尺寸；
模塊化設計：可增配UV光照消毒、真空干燥等模塊，滿足特殊需求。
技術參數
| 參數類別 | 參數詳情 |
|---|---|
| 清洗對象 | 半導體FOUP（前開式統一晶圓盒）、存儲卡匣、載具 |
| 兼容尺寸 | 12英寸、14英寸標準FOUP，可定制15英寸以上或異形盒體 |
| 清洗工藝 | 化學浸泡、超聲波清洗（頻率20-40kHz）、噴淋漂洗、熱風/真空干燥 |
| 清洗精度 | 顆粒去除率≥99.99%，殘留物≤0.03μm |
| 控制方式 | PLC+人機界面（HMI），支持遠程監控與數據追溯 |
| 安全等級 | SEMI S8/S2合規，防爆設計（可選），化學液泄漏應急處理系統 |
| 電源/氣源 | AC 380V/50Hz，N2/CDA/DI Water（根據工藝需求配置） |
應用場景
半導體制造：
光刻機配套FOUP清洗，避免光刻膠殘留污染晶圓；
蝕刻后FOUP去污，防止交叉污染；
封裝前FOUP清潔，提升芯片封裝良率。
封裝測試（OSAT）：
存儲卡匣清洗，確保多批次晶圓運輸的潔凈度；
老化FOUP翻新，延長設備使用壽命。
科研機構與實驗室：
先進制程研發中FOUP的清潔驗證；
第三代半導體（SiC/GaN）材料存儲容器清洗。
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