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碳化硅基氮化鎵外延HEMT品牌
晶沐光電產地
江蘇樣本
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介紹：碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN-on-SiC HEMT）外延技術是在碳化硅（SiC）襯底上生長氮化鎵（GaN）薄膜，結合了GaN的高頻高功率性能和SiC優異的導熱性。
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應用：用于5G基站中的射頻功率放大器；雷達系統；衛星通信系統中的高功率放大器、高效電源轉換器、電動汽車充電器和工業電機驅動器；無線通信基站中的射頻前端模塊等。
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