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介紹：砷化鎵（GaAs）是一種III-V族化合物半導體，具有直接能隙（1.43 eV）、高電子遷移率和優異的高頻特性。其高速、低噪聲和抗輻射性能使其成為微波射頻、光電子和功率器件的重要材料。
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應用：砷廣泛用于射頻和微波器件，如5G通信芯片、雷達系統和衛星通信設備。它還應用于光電子領域，如激光器、光探測器和高效太陽能電池，適用于高速光通信和航天應用。
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砷化鎵單晶襯底晶片（2~8inch ） | |||||
直徑 | 50.8mm | 76.2mm | 100mm | 150mm | 200mm |
厚度 | 350μm | 350μm | 350μm | 675μm | 675μm |
表面晶向 | (100) 15.0?± 1.0? off toward (111) | <100>±1.0° | |||
主定位邊晶向 | EJ<0-1-1>±1.0° | ||||
主定位邊長度 | 12mm | 22mm | 32mm | Notch | Notch |
次定位邊晶向 | EJ<0-1 1>±1.0° | N/A | N/A | ||
次定位邊長度 | 7mm | 12mm | 18mm | N/A | N/A |
正面狀態 | Epi-polished | ||||
反面狀態 | SSP:Etched; DSP:Epi-polished | ||||
總厚度偏差TTV | ≤10μm | ≤10μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤30μm |
彎曲度BOW | ≤12μm | ≤15μm | ≤20μm | ≤25μm | ≤40μm |
翹曲度WARP | ≤15μm | ≤20μm | ≤25μm | ≤30μm | ≤60μm |
邊緣去除 | ≤3 mm | ||||
應用 | LED應用 | LD激光應用 | 半導體,微電子芯片 | ||
導電類型 | N-Ttpe | N-Ttpe | Insulating | ||
摻雜元素 | Si-doping | Si-doping | Undoped | ||
電阻率 | (1~9）E-3ohm-cm | (1~9）E-3ohm-cm | ＞1E7ohm-cm | ||
位錯密度(EPD) | ＜5000/cm2 | ＜500/cm2 | ＜5000/cm2 | ||
載流子濃度(CC) | (0.4~5）E18/cm3 | (0.4~2.5）E18/cm3 | N/A | ||
電子遷移率(Mobility) | ＞1000cm2/v.s | ＞1500cm2/v.s | ＞4000cm2/v.s | ||
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砷化鎵單晶襯底晶片（2~8inch ） | |
晶體結構 | 立方晶體 |
禁帶寬度(eV) | 1.42eV |
熔點（℃） | 1238℃ |
莫氏硬度(mohs) | 5.6 |
熱導率(W·cm-1·℃-1) | 0.55W·cm-1·℃-1 |
熱膨脹系數(℃-1) | 5.8×10-6 |
晶格常數(nm) | a=0.5652 |
電子遷移率（cm-2·V-1·s-1） | 8500 |
擊穿電場(MV·cm-1) | 4 |
JFM指數（power） | 11 |
BFM指數(SW) | 28 |
BHFM指數(RF) | 16 |
折射率 | 3.24~3.33 |
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