制作方法：
自主專利技術主成分含量：
99.99%~99.9999%存儲條件：
專業儲存密度：
99.99%~99.9999%純度：
99.99%~99.9999%莫氏硬度：
粉體顏色：
黑色目數：
0~0.1μm品級：
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由高純度(99.99%~99.9999%)、精細(0~0.1μm)微粉和粒度為50~800μm的單晶β-SiC做母源，經氣相沉積法可制造各種單晶碳化硅，其優異的導電、導熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性使其在**、航天、航空、電子行業等高尖端領域用來替代電子級單晶硅和多晶硅，成為當前高科技領域公認的第三代半導體材料和LED等應用的電子封裝、基板材料。
導電、導熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性
碳化硅（SiC）具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、高導熱、抗氧化性以及高強度、低密度、介電性能可設計等優異特性，是極具應用潛力的導熱吸波型材料。在半導體材料中，碳化硅的高導熱系數奠定了其在第三代半導體材料中
近期，中國粉體網開啟第九屆“粉體行業獎項年度評選”活動?！胺垠w行業獎項年度評選”是由中國粉體網聯合北京粉體技術協會于2013年共同發起，是粉體行業最具權威性的獎項之一。為了助推行業邁向更高臺階，202
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