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產品特性
產品概述
鎵仁半導體可提供高質量氧化鎵專用長晶設備
技術參數
晶體生長爐設備指標
**工作溫度：1820℃；
高溫工作氣氛：大氣環境（O2濃度 ≈ 21%）；
連續工作時長：≥100h ，確保完成一爐晶體生長；
晶體生長段溫度梯度：≈10 ℃/cm；
晶體生長速度：0.2 ~ 4 mm/h。
高溫工藝段控溫精度：≤ ±0.2 ℃
全溫度段控溫精度：≤ ±0.3 ℃
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