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提純設備（蒸餾，精餾，升華，區熔）品牌
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化合物晶體材料設備主要應用于：GaAs砷化鎵、InP磷化銦、等III-V 族化合物晶體材料的生長、合成、脫氧等工藝，可實現 VGF/VB 工藝聯合生長，晶體生長尺寸：2-6英寸。
單質晶體材料設備主要應用于高純鋅、鎘、銻、碲、銦、錫、鍺、鎵等相關半導體材料的提純、蒸餾、精餾、升華區熔等工藝。
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