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該款產品，基于熱絲CVD法（Hot Filament Chemical Vapor Deposition，簡稱HoF CVD）鍍膜，適用于高校、科研機構使用，或企業研發部門進行原理性驗證和技術開發。熱絲CVD法與PECVD法在功能上具有相通性，例如硅基薄膜鍍膜、氮化硅鍍膜、氟系有機材料鍍膜等，可以相互替代。但因為鍍膜的原理不同，又具有不同的特點。簡要總結如下表所示：
| PECVD | HoFCVD | |
| 鍍膜質量 | 高，有等離子體損傷 | 更高，無等離子體損傷 |
| 鍍膜速度 | 較慢（非晶硅慢，微晶硅更加慢） | 較快（相比于 PECVD，非晶硅快，微晶硅更快） |
| 設備造價 | 高（射頻電源、碳基載板，勻氣結構復雜） | 低（直流電源、金屬載板、勻氣結構簡單） |
| 運營成本 | 一般 | 較低 |
| 顆粒污染 | 鍍膜氣壓幾十-幾百 Pa，易形成粉塵；需每天 NF3 等離子清洗 | 鍍膜氣壓幾 Pa，不易形成粉塵；可忽略該問題。 |
| 載板要求 | 一般碳基（石墨為主），載板是PE 放電的電極之一，參與放電，所以對其導電性等要求很高。 | 一般金屬載板。載板不參與氣體分子的裂解反應，導電性無要求。 |
| 繞鍍問題 | 原理性問題，需要載板、硅片的平整度和貼合程度要求很高才能避免。 | 可忽略。對載板、硅片的平整度、貼合程度要求低。 |
| 生產裝備結構 | 臥式：載板、硅片水平放置，自動化易于實現；粉塵顆粒易于粘附與硅片表面 | 立式：載板、硅片垂直放置，自動化難度高；粉塵不易與粘在硅片表面。 |
| 鍍膜均勻性 | 小面積高；但面積增大難度極高（因為等離子體的控制難度高，有駐波效應）。 | 小面積低；但面積增大容易（因為熱絲周期性排布） |
| 設備普及程度 | 高。裝備、工藝技術人員充足豐富。 | 低。裝備、工藝人員少。 |
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