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SiC高溫退火設備
SiC高溫退火設備

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型號

SiC高溫退火設備

品牌

山東力冠

產(chǎn)地

山東

樣本

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技術指標/Technical Indicators:

晶片尺寸: 4/6英寸

Wafer size: 4/6 inches

工作溫度范圍: 800-2000°C

Perating temperature range: 800-2000°C

裝片量: 50/80片

Loading capacity: 50/80 tablets


 

應用范圍/Scope:

? 用于SiC基半導體材料的離子激活和退火處理

lon activation and annealing treatment for SiC-based semiconductor materials


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