倒置微光顯微鏡iPHEMOS系列

該儀器設計緊湊，高度僅為80cm，因此可與多種測試機方便地對接。其配備的高靈敏度InGaAs相機以及多種激光選配件擴大了其動態分析的范圍。

特性

• 高精度級的多相機平臺

• 靈活的系統設計

• 多種探測器，可觀測低壓工作IC

• 倍率從1×到100×，多種鏡頭可選（可選配10鏡頭轉臺）

• 背面觀測探針可測量從整個300mm晶片到單個die的范圍

• 簡化了測試機頭對接，便于動態分析

• 用戶友好型操作系統

• 易于升級，有利于后期應用

• 高分辨率模板圖像

選配

高分辨率、高靈敏度觀測用納米透鏡

使用納米透鏡可增加數值孔徑，顯著提高分辨率和光采集效率。這樣可以減少探測時間，卻可以提供更好的分辨率。

紅外-光致阻值改變（IR-OBIRCH）分析功能

極受歡迎的紅外-光致阻值改變（IR-OBIRCH）分析功能可作為選配增加到儀器中，來探測漏電流或靜態電流缺陷（leakage or IDDQ defects）等的線缺陷

使用數字lock-in組件，可提高IR-OBIRCH分析的探測功能

軟件提供的數字lock-in功能即使是很短的圖像采集時間，也可以保證獲得比模擬lock-in更清晰和銳利的圖像。

激光輻射的動態分析功能

使用激光束照射，來觀測器件工作中的狀態變化（通過或者失敗），以分析功能缺陷

序列測量軟件

通過使用者執行一套流程，該功能可自動進行微光/IR-OBIRCH觀測。連接半自動探針后，微光/IR-OBIRCH圖像可按照序列測量并保存。連接大規模集成電路測試機或者外部電源也可以進行測量。

EO探針單元C12323-01

EO探針單元是一款工具，通過使用非連續光源，透過硅基底來觀察晶體管狀態。

配置

參數

*1：重量因配置不同而改變。

*2：高度等于iPHEMOS-SD上樣品邊緣的高度。