反射高能電子衍射儀是MBE制程的一部分。在薄膜沉積過(guò)程中，RHEED給客戶提供了重要的信息。

首先，RHEED圖像表征樣品表面的狀態(tài)。

其次，其強(qiáng)度震蕩可以提供生長(zhǎng)速率的量化數(shù)據(jù)。

RHEED提供了清晰的焦點(diǎn)，以及衍射圖樣，并能夠在屏幕上高亮度顯示。

電子光學(xué)部件有磁性保護(hù)罩，便于提高操作性。

可選部件：RHEED圖像分析硬件和軟件系統(tǒng)，可以實(shí)時(shí)獲取RHEED圖樣，使用戶便于觀察和控制薄膜生長(zhǎng)質(zhì)量。完整的RHEED系統(tǒng)包括 10KeV RHEED電子束源，電源及配套光纜。

技術(shù)參數(shù)：

RHEED Electron Source

2.75"和4" 法蘭

RHEED Power Supply

RHEED Image Analysis Software

高分辨CCD 或相機(jī)

實(shí)時(shí)分析

2D/3D分析

RHEED Optional Components

主要特點(diǎn)：

實(shí)時(shí)檢測(cè)外延生長(zhǎng)

測(cè)量薄膜生長(zhǎng)速率

單晶薄膜的生中速率測(cè)量

光學(xué)部件帶有磁性罩