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SVT公司的氣體入射源是為氣體源分子束外延（GSMBE）設計的。
SVTA-APH3-GCS入射源用于裂解砷化氫和磷化氫以進行高質量的III-V材料生長。
源采用單燈絲加熱，雙氣體管爐提高氣體裂解的效率。
它還采用一系列光闌板(aperture plates)滿足客戶對裂解性能的要求。
熱裂解區由高純PBN材料和鉭材料制作的。其在**溫度下也可提供超高純環境。
完整的氣體入射源系統還包括具有較大壓力的氣體傳輸系統。
為提高束流分布均一性，可定制源長度。
典型應用
用于III-V材料系統
具有很高的氣體裂解能力
先進的氣體操作系統
溫度150 oC-1，300 oC
MFC/自動束流控制
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