中國粉體網(wǎng)訊 氮化硅是一種優(yōu)秀的先進陶瓷材料，具有眾多優(yōu)異性能。它在高溫環(huán)境下表現(xiàn)穩(wěn)定，具有高強度和硬度的同時，還具備良好的韌性和抗蠕變性能。此外，它的耐氧化、耐磨損和抗熱震性也使其在各種極端條件下表現(xiàn)出色，優(yōu)異的介電性能和高熱導率使得其在電子器件和熱管理領域有廣泛的應用，而其出色的高頻電磁波傳輸性能則使其在通信技術等領域備受青睞。這一系列特性賦予了氮化硅普遍的適用性，使其在航空航天、半導體制造、能源、醫(yī)療設備和通信等多個領域中得到廣泛應用。
氮化鋁陶瓷是近年來電子工業(yè)中一種十分熱門的材料，具有高的熱導率（接近碳化硅和氧化鈹，是氧化鋁的5-10倍）、低的介電常數(shù)和介質損耗、良好的電絕緣特性以及與硅、砷化鎵相匹配的熱膨脹系數(shù)，是目前最為理想的高性能陶瓷基板和封裝材料，并有逐步取代劇毒氧化鈹陶瓷和低性能氧化鋁陶瓷的強勁趨勢。
隨著高性能氮化物陶瓷基板逐步得到應用，亟需研發(fā)金屬（銅為代表）和氮化物陶瓷基板的高效實用疊層復合技術，優(yōu)化金屬/陶瓷復合基板的結合強度和可靠性，以滿足未來高功率電子器件產(chǎn)業(yè)的需求。
半導體及電子信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展對核心材料的性能提出了更高要求。陶瓷基板作為功率半導體器件的關鍵封裝材料，其導熱性能、機械強度、可靠性和精密程度直接決定了終端產(chǎn)品的性能與壽命。針對材料研發(fā)、制備工藝、檢測技術、應用場景等核心議題，中國粉體網(wǎng)將于2025年7月29日在江蘇無錫舉辦2025高性能陶瓷基板關鍵材料技術大會。屆時，上海大學研究員施鷹將作題為《金屬復合氮化物陶瓷基板的結合技術及界面特性》的報告，報告聚焦絲網(wǎng)印刷厚膜金屬化方法，重點介紹了Cu/AlN和Cu/Si3N4陶瓷基板的疊層制備工藝，對制備條件與其結合特性和界面結構的關系進行了闡述。
專家簡介：
施鷹，1995年于中國科學院上海硅酸鹽研究所獲博士學位。1995-2006年歷任上海硅酸鹽所助理研究員、副研究員、研究員，博士生導師。2006年起任上海大學材料科學與工程學院研究員，博士生導師，研究領域為結構功能一體化陶瓷材料的設計、制備和性能優(yōu)化。主持多項國家自然科學基金面上項目、上海市重點基礎研究項目和企業(yè)委托研發(fā)項目。現(xiàn)任上海市硅酸鹽學會副理事長，中國材料研究學會無機材料分會理事，上海大學無機非金屬材料工程國家一流本科專業(yè)負責人，獲2024年度上海市科技進步二等獎1項。
參考來源：
周玉棟等，高導熱氮化硅陶瓷的制備研究進展
劉志平，氮化鋁陶瓷及其表面金屬化研究
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山林）
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