在第三代半導體碳化硅（SiC）賽道上，0.1μm 的精度誤差可能導致良品率暴跌 15%，單晶圓成本激增數千元！從晶體生長到晶圓加工，每一道工序都在考驗設備的精度極限。
2025年8月20-21日在江蘇·蘇州由中國粉體網主辦的第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會現場，復拓科學儀器（蘇州）有限公司攜三大殺手锏級產品震撼亮相，直擊行業痛點：
✅ 膜厚測量儀 Premier 50：精準到 Å 級的膜厚把控，告別外延層厚度不均導致的器件失效
✅ 光學表面形貌儀：納米級粗糙度檢測，讓微缺陷無處遁形
✅ 晶圓厚度測量系統：±1μm 的厚度測量精度，解決翹曲超差引發的封裝難題
🔥 三大主推產品，如何顛覆行業認知？
1️⃣ 膜厚測量儀 Premier 50—— 外延層的「納米級標尺」
SiC 器件性能高度依賴外延層質量，但傳統測量方式誤差高達 ±5%，導致批次性良品率不足 70%！Premier 50 憑借光譜橢偏 + 激光干涉雙技術融合，實現：
2️⃣ 光學表面形貌儀 —— 缺陷檢測的「納米顯微鏡」
SiC 晶圓表面的微小凸起或凹陷，可能造成器件擊穿電壓下降 20%！復拓這款設備搭載白光干涉 + 共聚焦復合技術，做到：
3️⃣ 晶圓厚度測量系統 —— 厚度控制的「微米級衛士」
晶圓厚度不均會導致封裝應力集中，引發芯片失效！該系統采用多光束共焦測量技術，實現：
📢 參會即享「三重硬核福利」，錯過再等一年！
1️⃣ 零距離技術體驗：現場操作三大設備，實測自家樣品數據（限前 20 名預約）
2️⃣ 定制化解決方案：復拓專家團隊一對一診斷產線精度問題，出具優化報告
3️⃣ 展會專屬優惠：現場簽約設備享折扣 + 年度校準服務
碳化硅器件成本每降低 10%，市場份額就能提升 20%！這是一場關乎企業未來 5 年競爭力的技術博弈。現在掃碼聯系會務組鎖定席位！
會務組緊急通道
📞 段經理：13810445572（微信同號，備注「復拓」優先對接）
📩 郵箱：duanwanwan@cnpowder.com
📍 坐標：蘇州·白金漢爵大酒店（8 月 20-21 日 9:00-17:00）
