目前我國從事電子材料行業研究、生產的企業幾千家，從業人員10余萬人，有國企、民營、合資、獨資各種性質的企業，已滲透到國民經濟和國防建設的各個領域。
半導體材料
單晶硅
我國半導體材料行業經過40多年發展已取得相當大的進展，主要有北京有研硅股、杭州海納半導體材料公司、寧波立立電子公司、洛陽單晶硅廠、萬向硅峰電子材料公司、上海晶華電子材料公司、峨眉半導體材料廠、河北寧晉半導體材料公司等。研究生產企業約35家，從業人員近4000人，以5英寸、6英寸為主，2003年國內硅單晶產量達1100噸左右，(太陽能電池硅單晶約占58%)平均年增長率為27.5%。由于2002年以來國際半導體市場需求的回升，特別是中國半導體產業的快速增長，硅材料企業基本上都處于滿負荷生產，有的企業還加快了12英寸硅片的研究開發，以適應未來市場發展的需要。
砷化鎵材料
近年來經過自主攻關、技術引進、對外合作等多種形式的努力，我國在該領域已處于世界較先進國家行列。產品性能方面，我國自主研制成功4英寸、6英寸GaAs單晶和4英寸InP單晶，主要技術指標與國外先進水平相當；工藝技術方面，我國已擁有生長該類材料的各種主要技術，如高壓液封切克勞斯基工藝(HPLEC)、常壓液封切克勞斯基工藝(LPLEC)、水平布里奇曼工藝(HB)、垂直布里奇曼工藝(VB)、垂直梯度冷凝工藝(VGF)、蒸氣壓控制直拉工藝(VCZ)等，其中一些主要技術已經成熟；在產業化方面，在引進、自主建設等各種方式努力下，有多家企業已完成了產業化的前期工作。由于美國目前已基本沒有GaAs材料的生產能力，因此綜合比較，中國可在日、德之后處于世界第三位。
中國電子科技集團公司第四十六所和中科院半導體所(中科鎵英半導體公司)是承擔國家各種任務的主要單位。四十六所形成了一批具有自主知識產權的核心技術，生長出我國第一顆4英寸和第一顆6英寸砷化鎵單晶，在LEC工藝生長砷化鎵單晶的位錯密度控制技術、微缺陷密度控制技術、砷化鎵多晶合成技術等方面，擁有一批世界領先的科研成果。中科院半導體所(中科鎵英半導體公司)也在微重力下生長砷化鎵單晶方面取得了在世界上具有一定影響的成果。
光電器件用低阻砷化鎵材料研制方面，目前國內以四十六所和國瑞電子公司為主。四十六所研發出具有自主知識產權的垂直布里奇曼技術，并正在大力開展產業化工作；國瑞電子主要采用水平布里奇曼技術進行低阻砷化鎵材料的生產。
光電子材料
液晶材料
國內有主要生產企業4家，石家莊實力克液晶材料公司、北京清華亞王、西安瑞聯公司、煙臺萬潤。國內總的生產能力約為40噸/年。TN占80%，STN有一定量產品，TFT-LCD用液晶正在開發。
ITO導電玻璃
國內外的總產量為1.5億片，我國內地占了約1億片，生產企業約20多家，產品以TN類為主，有部分STN產品，日本以STN為主，我國臺灣TN、STN各一半。
光纖材料
隨著近十多年通信業的迅速發展，我國光纖產業取得了長足進步，由原來有限規模的一兩家企業，較單一的生產工藝，逐步形成了涵蓋PCVD、MCVD、VAD、OVD等多種生產工藝的企業群體。經過多年的不懈努力，國內光纖產業在質和量方面都發生了巨大變化。
近幾年在國家有關部門的重點支持下，相關企業直接參與，使光纖預制棒這一新興產業有了較快的發展。特別是科技部在“十五”國家科技攻關和“863”光電子新材料研究計劃中，安排了光纖預制棒產業化技術開發及相關主要原材料項目，加快了具有自主知識產權的光纖預制棒新技術、新工藝和新材料的開發步伐，初步解決了光纖發展中的“瓶頸”問題。
目前我國光纖預制棒生產技術已基本融入世界制棒技術主流，形成了以長飛、法爾勝、富通為主的多個光捧生產企業格局，國內光棒生產能力達1850萬公里/年，市場占有率達34.4%，成為世界第三大光纖生產國。目前已申報光纖預制棒方面的專利30多項，2003年國內光纖產量約1300萬公里。
激光晶體材料
激光晶體材料國內研發生產企業16家左右，主要有華北光電所、西南技物所、上海光機所、福建物構所、山東大學、北京人工晶體研究院、吉林激光材料廠等。
主要品種有Nd：YAG晶體生產規模最大，年產值超過4000萬元，除滿足國內市場，還有出口；Nd：YVO4晶體，年產值超過2000萬元，產品出口，其他開發小批量生產的激光晶體有10多種。
國內激光晶體的研究水平與國際上保持一致，除大尺寸YAG以外，釹釔鎵石榴石(Nd：GGG)、釹氟磷酸鍶(Nd：S-FAP)，可調諧新波長晶體以及LD原浦晶體材料正在大力開發和產業化。
電子陶瓷材料
隨著表面貼裝技術(SMT)中片式元器件用量的增幅日益上升，電子陶瓷材料要滿足片式化、小型化、復合化、智能化以及微波高頻大容量等方面的需求。綜合水平領先的是日本、美國等發達國家，以系列化、產量大、應用領域廣、綜合性能優，處在世界領先地位。
MLCC瓷料世界市場需求約1200噸，電容器產量為7200億只，研發企業近百家，年產量1800余噸，風華高科的X7R瓷料，成都宏科的Y5V，昆山長風的2F4瓷料綜合性能與國外同類產品相同，個別性能和工藝性能超過國外同品種，具有較好的市場前景。國內MLCC瓷料產量約800噸，需求約3000噸，電容器產量約2000多億只。國內要解決的問題是：(1)品種不全，特別是無鉛、鎘瓷料的開發生產要形成自主知識產權；(2)加工生產手段陳舊；(3)需要培養高技術水平的技術隊伍。
覆銅板材料
03年國內覆銅板年產量約10590萬平方米，其中：玻布基板5720萬平方米，增長44.44%；紙基板4395萬平方米，增長9.06%；復合基板475萬平方米，增長18.75萬平方米。撓性覆銅板年需求已達587萬平方米。其中：覆銅板出口量為9.0436萬噸，增長29.19%，出口額為28820萬美元，增長31.62%。覆銅板進口量為18.5565萬噸，增長31.33%，進口額為67452萬美元，增長36.85%。
03年行業經濟運行最顯著的特點是，CCL的需求量大幅度增長，產量、銷量都已大大超過歷史最旺盛的2000年。主要原因是，全球經濟的復蘇，中國電子信息產業的持續發展，也有歐美訂單向中國轉移的因素。
然而全行業的經濟效益卻是下降的。除個別規模特大、產品技術檔次高的企業外，絕大多數企業在主營業務收入大幅上升的同時，能達到利潤總額有小幅上升，只能達到基本持平，還有一些出現虧損。行業利潤總額較2002年有所下降。 造成這一結果的原因是原材料價格大幅上漲，CCL價格不能同步上升，其次是產能供大于求，同行惡性競爭，市場秩序無法規范等。主要是這些材料來自我國臺灣和韓國的量太大，2003年各為7.414萬噸和2.9183萬噸，約合4100萬平方米，幾乎控制了我國內地市場總需求的40%。這種狀況如果得不到扼制，我國內地CCL業的艱難狀況將難以轉變。
錫焊料材料
隨著人們環保意識的加強及人們生活質量的提高，歐盟對電子整機中6種有毒有害物質限制使用日期的到來，世界各國對無鉛產業體系的建立迫在眉睫。
中國是世界上最大的電子產品生產和消費國，具有豐富的礦產資源，焊料廠家為了自身的生存和今后的發展，近幾年來都投入了大量的人力、物力、財力開發研制生產無鉛焊料。2003年從事焊料生產的企業約300多家，已有70%以上的錫焊料生產企業生產不同類型的無鉛焊料。產品中焊絲、焊條占相當大的比重(約占焊料市場的50%以上)， 2003年國內用量約7萬噸，品種類型多為Sn-Ag系、Sn-Ag-Cn系和Sn-Cu系。主要用于手工焊和波峰焊，回流焊的焊膏年用量約1500噸，2003年國內各種無鉛焊料的產量約1萬噸，年增長率在50%以上。現在面臨的問題是要開發具有自主知識產權的無鉛焊料產品。
磁性材料
改革開放以來，我國的磁性材料工業走上了一條高速發展的道路，現已基本形成了自己的產業體系。從產量來看，我國已成為磁性材料的生產大國，但從產品的檔次和性能來看，我國目前還不是磁性材料生產強國。
2003年我國的永磁鐵氧體產量已達到21.9萬噸，軟磁鐵氧體產量9.5萬噸，釹鐵硼產量0.95萬噸，鋁鎳鈷產量超過3000噸。在出口創匯方面，東磁企業集團和廈門TDK公司都超過1億美元，分別達到17849萬美元和16331萬美元。
近十年來，我國磁性材料工業在形成產業體系的同時，出現了一批行業龍頭企業。
在浙江東陽形成了以鐵氧體永磁為主導產品的生產基地，產量約占全國產量的一半以上，東陽磁性企業集團成為世界上最大的鐵氧體永磁生產企業。浙江寧波地區、京津地區和山西省形成了中國釹鐵硼生產的三大基地，產量占全國產量的90%以上，中科三環、寧波韻升和山西恒磁成為世界上最大的釹鐵硼生產企業之一。在鐵氧體軟磁方面，海寧天通股份公司已經上市，天通和東磁的產量已排在世界前列。
在行業發展方面，宜賓899廠吸收了五糧液的投資，生產高檔鐵氧體永磁，還將擴展到軟磁和稀土永磁領域。津濱發展投入重資，發展釹鐵硼生產。武鋼、鞍鋼和本鋼等企業，也對磁性材料行業加強了投資。
中國加入WTO后，為磁性材料行業提供了新的機遇與挑戰，我們要抓住機遇，加強科技創新，加速技術改造，使中國成為世界磁性材料生產基地、相關產業配套基地和銷售市場。
半導體材料
單晶硅
我國半導體材料行業經過40多年發展已取得相當大的進展，主要有北京有研硅股、杭州海納半導體材料公司、寧波立立電子公司、洛陽單晶硅廠、萬向硅峰電子材料公司、上海晶華電子材料公司、峨眉半導體材料廠、河北寧晉半導體材料公司等。研究生產企業約35家，從業人員近4000人，以5英寸、6英寸為主，2003年國內硅單晶產量達1100噸左右，(太陽能電池硅單晶約占58%)平均年增長率為27.5%。由于2002年以來國際半導體市場需求的回升，特別是中國半導體產業的快速增長，硅材料企業基本上都處于滿負荷生產，有的企業還加快了12英寸硅片的研究開發，以適應未來市場發展的需要。
砷化鎵材料
近年來經過自主攻關、技術引進、對外合作等多種形式的努力，我國在該領域已處于世界較先進國家行列。產品性能方面，我國自主研制成功4英寸、6英寸GaAs單晶和4英寸InP單晶，主要技術指標與國外先進水平相當；工藝技術方面，我國已擁有生長該類材料的各種主要技術，如高壓液封切克勞斯基工藝(HPLEC)、常壓液封切克勞斯基工藝(LPLEC)、水平布里奇曼工藝(HB)、垂直布里奇曼工藝(VB)、垂直梯度冷凝工藝(VGF)、蒸氣壓控制直拉工藝(VCZ)等，其中一些主要技術已經成熟；在產業化方面，在引進、自主建設等各種方式努力下，有多家企業已完成了產業化的前期工作。由于美國目前已基本沒有GaAs材料的生產能力，因此綜合比較，中國可在日、德之后處于世界第三位。
中國電子科技集團公司第四十六所和中科院半導體所(中科鎵英半導體公司)是承擔國家各種任務的主要單位。四十六所形成了一批具有自主知識產權的核心技術，生長出我國第一顆4英寸和第一顆6英寸砷化鎵單晶，在LEC工藝生長砷化鎵單晶的位錯密度控制技術、微缺陷密度控制技術、砷化鎵多晶合成技術等方面，擁有一批世界領先的科研成果。中科院半導體所(中科鎵英半導體公司)也在微重力下生長砷化鎵單晶方面取得了在世界上具有一定影響的成果。
光電器件用低阻砷化鎵材料研制方面，目前國內以四十六所和國瑞電子公司為主。四十六所研發出具有自主知識產權的垂直布里奇曼技術，并正在大力開展產業化工作；國瑞電子主要采用水平布里奇曼技術進行低阻砷化鎵材料的生產。
光電子材料
液晶材料
國內有主要生產企業4家，石家莊實力克液晶材料公司、北京清華亞王、西安瑞聯公司、煙臺萬潤。國內總的生產能力約為40噸/年。TN占80%，STN有一定量產品，TFT-LCD用液晶正在開發。
ITO導電玻璃
國內外的總產量為1.5億片，我國內地占了約1億片，生產企業約20多家，產品以TN類為主，有部分STN產品，日本以STN為主，我國臺灣TN、STN各一半。
光纖材料
隨著近十多年通信業的迅速發展，我國光纖產業取得了長足進步，由原來有限規模的一兩家企業，較單一的生產工藝，逐步形成了涵蓋PCVD、MCVD、VAD、OVD等多種生產工藝的企業群體。經過多年的不懈努力，國內光纖產業在質和量方面都發生了巨大變化。
近幾年在國家有關部門的重點支持下，相關企業直接參與，使光纖預制棒這一新興產業有了較快的發展。特別是科技部在“十五”國家科技攻關和“863”光電子新材料研究計劃中，安排了光纖預制棒產業化技術開發及相關主要原材料項目，加快了具有自主知識產權的光纖預制棒新技術、新工藝和新材料的開發步伐，初步解決了光纖發展中的“瓶頸”問題。
目前我國光纖預制棒生產技術已基本融入世界制棒技術主流，形成了以長飛、法爾勝、富通為主的多個光捧生產企業格局，國內光棒生產能力達1850萬公里/年，市場占有率達34.4%，成為世界第三大光纖生產國。目前已申報光纖預制棒方面的專利30多項，2003年國內光纖產量約1300萬公里。
激光晶體材料
激光晶體材料國內研發生產企業16家左右，主要有華北光電所、西南技物所、上海光機所、福建物構所、山東大學、北京人工晶體研究院、吉林激光材料廠等。
主要品種有Nd：YAG晶體生產規模最大，年產值超過4000萬元，除滿足國內市場，還有出口；Nd：YVO4晶體，年產值超過2000萬元，產品出口，其他開發小批量生產的激光晶體有10多種。
國內激光晶體的研究水平與國際上保持一致，除大尺寸YAG以外，釹釔鎵石榴石(Nd：GGG)、釹氟磷酸鍶(Nd：S-FAP)，可調諧新波長晶體以及LD原浦晶體材料正在大力開發和產業化。
電子陶瓷材料
隨著表面貼裝技術(SMT)中片式元器件用量的增幅日益上升，電子陶瓷材料要滿足片式化、小型化、復合化、智能化以及微波高頻大容量等方面的需求。綜合水平領先的是日本、美國等發達國家，以系列化、產量大、應用領域廣、綜合性能優，處在世界領先地位。
MLCC瓷料世界市場需求約1200噸，電容器產量為7200億只，研發企業近百家，年產量1800余噸，風華高科的X7R瓷料，成都宏科的Y5V，昆山長風的2F4瓷料綜合性能與國外同類產品相同，個別性能和工藝性能超過國外同品種，具有較好的市場前景。國內MLCC瓷料產量約800噸，需求約3000噸，電容器產量約2000多億只。國內要解決的問題是：(1)品種不全，特別是無鉛、鎘瓷料的開發生產要形成自主知識產權；(2)加工生產手段陳舊；(3)需要培養高技術水平的技術隊伍。
覆銅板材料
03年國內覆銅板年產量約10590萬平方米，其中：玻布基板5720萬平方米，增長44.44%；紙基板4395萬平方米，增長9.06%；復合基板475萬平方米，增長18.75萬平方米。撓性覆銅板年需求已達587萬平方米。其中：覆銅板出口量為9.0436萬噸，增長29.19%，出口額為28820萬美元，增長31.62%。覆銅板進口量為18.5565萬噸，增長31.33%，進口額為67452萬美元，增長36.85%。
03年行業經濟運行最顯著的特點是，CCL的需求量大幅度增長，產量、銷量都已大大超過歷史最旺盛的2000年。主要原因是，全球經濟的復蘇，中國電子信息產業的持續發展，也有歐美訂單向中國轉移的因素。
然而全行業的經濟效益卻是下降的。除個別規模特大、產品技術檔次高的企業外，絕大多數企業在主營業務收入大幅上升的同時，能達到利潤總額有小幅上升，只能達到基本持平，還有一些出現虧損。行業利潤總額較2002年有所下降。 造成這一結果的原因是原材料價格大幅上漲，CCL價格不能同步上升，其次是產能供大于求，同行惡性競爭，市場秩序無法規范等。主要是這些材料來自我國臺灣和韓國的量太大，2003年各為7.414萬噸和2.9183萬噸，約合4100萬平方米，幾乎控制了我國內地市場總需求的40%。這種狀況如果得不到扼制，我國內地CCL業的艱難狀況將難以轉變。
錫焊料材料
隨著人們環保意識的加強及人們生活質量的提高，歐盟對電子整機中6種有毒有害物質限制使用日期的到來，世界各國對無鉛產業體系的建立迫在眉睫。
中國是世界上最大的電子產品生產和消費國，具有豐富的礦產資源，焊料廠家為了自身的生存和今后的發展，近幾年來都投入了大量的人力、物力、財力開發研制生產無鉛焊料。2003年從事焊料生產的企業約300多家，已有70%以上的錫焊料生產企業生產不同類型的無鉛焊料。產品中焊絲、焊條占相當大的比重(約占焊料市場的50%以上)， 2003年國內用量約7萬噸，品種類型多為Sn-Ag系、Sn-Ag-Cn系和Sn-Cu系。主要用于手工焊和波峰焊，回流焊的焊膏年用量約1500噸，2003年國內各種無鉛焊料的產量約1萬噸，年增長率在50%以上。現在面臨的問題是要開發具有自主知識產權的無鉛焊料產品。
磁性材料
改革開放以來，我國的磁性材料工業走上了一條高速發展的道路，現已基本形成了自己的產業體系。從產量來看，我國已成為磁性材料的生產大國，但從產品的檔次和性能來看，我國目前還不是磁性材料生產強國。
2003年我國的永磁鐵氧體產量已達到21.9萬噸，軟磁鐵氧體產量9.5萬噸，釹鐵硼產量0.95萬噸，鋁鎳鈷產量超過3000噸。在出口創匯方面，東磁企業集團和廈門TDK公司都超過1億美元，分別達到17849萬美元和16331萬美元。
近十年來，我國磁性材料工業在形成產業體系的同時，出現了一批行業龍頭企業。
在浙江東陽形成了以鐵氧體永磁為主導產品的生產基地，產量約占全國產量的一半以上，東陽磁性企業集團成為世界上最大的鐵氧體永磁生產企業。浙江寧波地區、京津地區和山西省形成了中國釹鐵硼生產的三大基地，產量占全國產量的90%以上，中科三環、寧波韻升和山西恒磁成為世界上最大的釹鐵硼生產企業之一。在鐵氧體軟磁方面，海寧天通股份公司已經上市，天通和東磁的產量已排在世界前列。
在行業發展方面，宜賓899廠吸收了五糧液的投資，生產高檔鐵氧體永磁，還將擴展到軟磁和稀土永磁領域。津濱發展投入重資，發展釹鐵硼生產。武鋼、鞍鋼和本鋼等企業，也對磁性材料行業加強了投資。
中國加入WTO后，為磁性材料行業提供了新的機遇與挑戰，我們要抓住機遇，加強科技創新，加速技術改造，使中國成為世界磁性材料生產基地、相關產業配套基地和銷售市場。
