中國粉體網訊 近日，美國政府發布關于“對等關稅”的行政令，引發市場高度關注。
一、加征關稅基本情況
自2018年起，美國政府持續升級對華貿易限制措施，通過關稅調整和出口管制多維度施壓。2018年7月，美國對500億美元中國輸美商品加征25%關稅，次年5月進一步將2,000億美元中國商品的關稅稅率從10%提升至25%。在2024年的新一輪經貿博弈中，美國政府將電動汽車、半導體、醫療設備等戰略性產業作為重點對象，大幅加征相關產品關稅。同年10月，通過商務部將數十家中國實體列入“實體清單”和“未經驗證清單”，實施嚴格技術出口管制。
2025年2月1日和3月3日，美國政府分兩次對中國輸美商品各加征10%關稅，累計提升關稅稅率達20%；4月3日出臺的“對等關稅”政策進一步重構全球貿易格局，對中國大陸商品征收34%稅率，同時對越南、泰國、印度尼西亞、馬來西亞等中國產業鏈外遷主要承接國實施梯度稅率。2025年4月10日，美國政府宣布對中國輸美商品征收“對等關稅”的稅率進一步提高至125%。
二、CMP發展概況
CMP是半導體制造中用于晶圓表面平坦化的核心技術，涉及設備（如拋光機）和材料（如拋光液、拋光墊）兩大領域。目前，全球CMP市場主要由美日企業主導，而中國作為全球最大的半導體消費市場，CMP設備和材料的國產化進程直接關系到芯片制造的自主可控能力。
根據SEMI統計數據，全球半導體CMP拋光材料市場規模由2015年約15.90億美元增長至2022年約29.90億美元，復合增長率為9.44%。
2015-2022年全球半導體CMP拋光材料行業規模及趨勢（億美元）
我國半導體CMP拋光材料市場規模由2015年約21.30億元增長至2022年約49.90億元，復合增長率為12.93%，相較全球實現了更加快速的發展。
2015-2022年中國半導體CMP拋光材料行業規模及趨勢（億元，人民幣）
三、對CMP行業的影響
1.關鍵原材料與設備依賴進口，國外企業壟斷，致使國內企業成本上升
關鍵材料及設備被壟斷：
（1）CMP拋光液
拋光液上游材料中，主要原材料研磨顆粒的制造技術掌握在國外企業手中。目前卡博特（Cabot）、慧瞻材料（Versum）、英特格（Entegris）、安集科技等拋光液企業主要向第三方采購核心磨粒材料。二氧化硅磨粒使用最廣泛（70%），但被日產化學、扶桑化學、阿克蘇諾貝爾公司等海外巨頭壟斷。比利時索爾維作為全球最大的氧化鈰研磨顆粒制造商，壟斷了氧化鈰研磨顆粒。
根據 QY Research 數據，全球CMP拋光液市場主要被美國CMC Materials（原 Cabot）、日本力森諾科（Resonac）、美國VSM（Versum Materials）和日本福吉米（Fujimi）等美日企業壟斷，競爭格局較為集中。
（2）CMP拋光墊
拋光墊全球市場集中度高，市場份額主要被杜邦占據，其占全球79%的市場份額。
（3）CMP設備
根據國際半導體行業協會SEMI數據，2022年中國大陸半導體設備的銷售額達283億美元，占全球半導體設備市場26.30%的份額，2023年銷售額達366億美元。
全球CMP設備市場幾乎被美國應用材料（AppliedMaterials,Inc）和日本荏原（EbaraCorporation）兩家公司壟斷，它們占據了90%以上的市場份額，尤其是在14nm以下先進制程領域，幾乎完全依賴這兩家企業。
國內企業在逐步發展：
就CMP設備來看，目前我國僅有華海清科、晶亦精微等少數幾家企業可量產CMP設備，但市場占有率仍然不高，處于加速追趕階段。安集科技、上海新安納、江豐電子、鼎龍股份等CMP拋光材料企業也在奮起直追。
2.技術壁壘、客戶認證壁壘、出口管制將對國內企業產生更大限制
CMP拋光材料的技術更新動力源自下游晶圓的技術更新。晶圓制程不斷提高，從1971年的10微米到現在的10納米、7納米甚至5納米。為了追趕摩爾定律，制程工藝大約2年就能更新一次，往往是這邊的技術還沒趕上，那邊的新技術又出來了。因此為了滿足更細致的工藝，對CMP材料也有著更高的要求。
試錯成本也成為了CMP材料的技術壁壘。拋光材料要不斷找到合適配方、穩定制作工藝及設計圖案，從而獲得較好的、穩定的拋光速率和拋光效果，所以企業研究CMP耗材時間成本較高，需要較長時間來試錯摸索工藝指標、產品配方等對物理參數及性能的影響結果，形成較深的Know-How壁壘。
此外，在晶圓加工的多重工藝環節中，CMP材料的產品性能、可靠性以及工藝穩定性直接對晶圓產品的性能及良率產生重要影響，下游客戶對CMP材料供應商和產品均有極高的要求。在選擇CMP拋光材料時，客戶往往會通過多重測試環節后，才會做出大批量采購決策，一旦客戶予以產品認證，并形成穩定的供應鏈體系之后，客戶與供應商就建立了非常緊密的合作關系。
隨著中美關系緊張，美國加強了對半導體關鍵設備和材料出口的管制，如對華為、中芯國際的限制。這直接影響了中國CMP行業獲取先進工藝設備的能力，延緩了技術升級。
3.推動CMP國產替代進程
鑒于CMP拋光材料對產品性能、可靠性以及穩定性的要求嚴格，替換成本高，從而導致下游客戶更換供應商意愿不強，一定程度上保障了上游供應商的產品生命周期較長，一旦國內企業實現技術突破，進入供應鏈后，則難以被替代。同時，因海外半導體材料供應不確定性加劇，擾動國內晶圓大廠材料的供應鏈，“對等關稅”政策下，中國半導體企業采購美國產品的成本上升，推動國產替代進程提速，倒逼本土晶圓廠商加速國產CMP材料的產品認證，提升供需方CMP產品國產替代的共研意愿，一旦實現突破，便自動形成上述競爭壁壘，助力CMP拋光材料國產化進程加速。
參考來源：
[1] 巨潮資訊網、中國粉體網、科技日報、財政部網站、證券日報網、CMP拋光資訊、金木資本、EAR
[2] HORIBA：Semiconductor Processing: Chemical Mechanical Planarization
（中國粉體網編輯整理/山林）
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