中國粉體網訊 近日，南通威斯派爾半導體技術有限公司雙喜臨門，公司接連獲得國家高新技術企業、市級企業工程技術研究中心兩項榮譽認定。
喜訊一：國家高新技術企業
根據《江蘇省2024年度第三批高新技術企業名單》，南通威斯派爾半導體技術有限公司成功通過“國家高新技術企業“認定！
高新技術企業是科技創新的主力軍，也是拉動經濟高質量發展的強引擎。公司榮獲“國家高新技術企業”認定，是國家對企業在核心自主知識產權、科技成果轉化能力、研發組織管理水平等方面綜合實力的權威認證。
喜訊二：市級企業工程技術研究中心
根據南通市科技局發布的《關于認定2024年南通市級研發機構的通知》，南通威斯派爾半導體技術有限公司被評為“市級企業工程技術研究中心”！市級企業工程技術研究中心的認定，標志著威斯派爾在半導體技術領域的研發能力達到了新的高度，為行業發展注入了更多活力。
覆銅陶瓷基板
近年來，隨著新能源行業的迅猛發展，半導體功率模塊得到了廣泛的應用。功率模塊一般應用在大功率大電壓環境中，相較于通常的電子應用領域，其對載板的電流載流能力、絕緣耐壓能力、以及高效散熱能力有著更高的要求。然而，覆銅陶瓷基板的高載流、高耐壓、高散熱的特點，恰好滿足了功率模塊的應用需求。
覆銅陶瓷基板按工藝分可以一般可分為DBC(Direct bonded copper，直接覆銅陶瓷基板)、DPC(Direct plated copper，直接電鍍陶瓷基板)、AMB(Active metal brazing，活性金屬釬焊陶瓷基板)等。其中DBC和AMB覆銅陶瓷基板在半導體功率模塊中被大量應用。
DBC陶瓷基板
DBC陶瓷基板一般是在Al2O3陶瓷上直接覆銅。首先需要將銅箔（Cu）做氧化處理，然后將Al2O3陶瓷陶瓷片和處理后的銅箔壓合，銅箔在1065°C形成CuO共晶相，進而與Al2O3陶瓷陶瓷片發生反應生成CuAO2或Cu(AO2)2，實現銅箔與陶瓷間共晶鍵合。如果是AlN陶瓷，則需要預先在AlN陶瓷表面做氧化處理，生成Al2O3，再進行覆銅。
得益于銅箔與陶瓷間共晶鍵合強度較高，DBC基板的銅厚一般可以做到100μm-600μm，同時陶瓷和銅具有良好的導熱性，DBC基板的熱穩定性也很好，廣泛應用于各種IGBT功率模塊、激光器（LD）和光伏（PV）等器件封裝散熱中。
AMB陶瓷基板
AMB陶瓷基板則是利用含少量活性元素的金屬釬焊料，將銅箔與陶瓷片間緊密焊接起來。AMB釬焊料中添加的少量活性元素具有高活性，可提高釬焊料熔化后對陶瓷的潤濕性，使陶瓷表面無需金屬化就可與金屬實現良好焊接。
通過釬焊實現陶瓷表面覆銅的AMB基板，相比DBC基板，其結合強度更高，可靠性也更好。AMB基板中的陶瓷一般是Si3N4陶瓷和AlN陶瓷，二者的導熱性能（Si3N4 AMB>80W/m·K，AlN AMB>170 W/m·K）遠高于Al2O3 DBC（24W/m·K）。另外，Si3N4 AMB還擁有出色的機械強度。
關于南通威斯派爾
南通威斯派爾半導體技術有限公司專注于為IGBT/SiC功率模塊提供高可靠性的散熱基礎材料，全力打造以AMB及DBC技術為基礎的覆銅陶瓷基板產品；公司已取得IATF16949:2016認證，產品已達到汽車產品的供應要求，將推動電動汽車、軌道交通、智能電網、風力發電、太陽能、白色家電、航空航天、軍工等產業領域的低碳可持續發展。
覆銅陶瓷基板 圖源：南通威斯派爾
參考來源：
南通威斯派爾官網，南通市科技局，江蘇省科技廳等
（中國粉體網編輯整理/輕言）
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