中國粉體網訊 三菱電機日本福山功率器件工廠完成首條12英寸硅晶圓加工生產線的安裝，計劃2025財年開始在12英寸硅晶圓新產線上量產，穩定供應功率半導體器件，同時布局第四代寬禁帶半導體材料氧化鎵，接下來將繼續研究氧化鎵功率芯片和功率器件。
12英寸硅晶圓（左）和8英寸晶圓（右）
8月29日，三菱電機宣布其位于日本福山的功率器件工廠完成首條12英寸硅晶圓加工生產線的安裝，樣品生產和測試驗證了該生產線加工的功率半導體芯片達到了要求的性能水平。三菱電機計劃2025財年開始在新的12英寸硅晶圓線上大規模生產，推動穩定供應功率半導體器件。功率半導體又稱電力電子器件，其典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等。三菱電機成立于1921年，開發和生產半導體67年，功率半導體是其業務增長的主要動力，其半導體產品應用于變頻家電、軌道牽引、工業與新能源、電動汽車、模擬/數字通訊以及有線/無線通訊等領域。
“三菱電機將集中精力開發12英寸硅晶圓和8英寸碳化硅（SiC）晶圓。”三菱電機半導體大中國區總經理赤田智史8月30日表示。今年3月，三菱電機宣布將在2026年3月前的五年內投資約2600億日元，主要用于新建晶圓廠，增加碳化硅功率半導體的生產，并計劃2026年4月開始稼動位于日本熊本縣菊池市的8英寸碳化硅晶圓新工廠。
位于熊本縣合志市的6英寸碳化硅晶圓廠也要擴產，到2026年碳化硅產能預計擴大到目前的5倍左右。赤田智史表示，預計到2030年，三菱電機碳化硅功率模塊營收占比將提升到30%以上。
三菱電機也在布局研發第四代寬禁帶半導體材料氧化鎵。今年7月，三菱電機宣布入股成立于2015年的Novel Crystal Technology，該公司主要開發新型半導體材料氧化鎵。雙方將合作開發氧化鎵功率半導體，三菱電機功率器件制作所高級技術顧問近藤晴房表示，碳化硅功率模塊的商業化應用已超10年，現在是時候導入新的寬禁帶材料了，作為新型半導體材料，氧化鎵肯定會面臨很多技術挑戰，三菱電機接下來將繼續研究氧化鎵功率芯片和功率器件。
（中國粉體網編輯整理/空青）
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