中國粉體網訊 2月4日，晶盛機電舉行6英寸雙片式碳化硅外延設備新品發布會。
6英寸雙片式碳化硅外延設備揭幕儀式，來源：晶盛機電
以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體被國家“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要列入重要發展方向。碳化硅材料在高溫、高頻、高頻領域逐步替代硅，在5G通信、航空航天、新能源汽車、智能電網領域發揮重要作用。
根據Yole數據，受新能源汽車行業龐大的需求驅動，以及光伏風電和充電樁等領域對于效率和功耗要求提升的影響，預計到2027年碳化硅功率器件的市場規模將達到62.97億美元，2021-2027年的復合增速約為34%。
據介紹，該產品歷時兩年的研發、測試與驗證，在外延產能、運營成本等方面已取得國際領先優勢，與單片設備相比，新設備單臺產能增加70%，單片運營成本降幅可達30%以上。
6英寸雙片式碳化硅外延設備
晶盛經過一年的研發，成功生長出行業領先的8英寸N型碳化硅晶體，完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現8英寸拋光片的開發，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實現小批量生產，為實現我國在第三代半導體材料領域關鍵核心技術自主可控作出積極貢獻。
據悉，在今年1月12日，晶盛聯合創新產業園項目大樓主體全面封頂。晶盛機電投資8億元，在產業園建設12英寸集成電路大硅片設備測試實驗線，預計2023年7月投入使用。
據公開資料顯示，晶盛機電成立于2006年，為國內晶體生長設備龍頭，下游覆蓋光伏、半導體、藍寶石、碳化硅4大領域。在半導體設備方面，其已實現8英寸硅片晶體生長、切片、拋光、外延加工設備全覆蓋（占比整線設備80%價值量），12英寸硅片長晶爐設備已小批量出貨，客戶包括中環、金瑞泓、有研、合晶等優質半導體企業。
發布會上，晶盛機電董事長曹建偉博士表示，碳化硅全產業鏈從設備到工藝的創新，成本快速下降，產能快速擴張。晶盛機電持續以科技創新引領產品、工藝的迭代和突破，在先進制程及功率器件半導體裝備領域，解決“卡脖子”難題，實現進口替代，助力我國加快向高端材料、高端設備制造業轉型發展的步伐。
來源：晶盛機電公眾號
（中國粉體網編輯整理/空青）
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