我國“十四五”規劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域，隨著國家“新基建”戰略的實施，碳化硅半導體將在5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心等新基建領域發揮重要作用。因此，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體是面向經濟主戰場、面向國家重大需求的戰略性行業。
碳化硅晶片（圖源：天科合達）
毋容置疑，碳化硅是極具潛力和市場空間的第三代半導體材料，當下已成為半導體界的“超級頂流”。因此在半導體產業最熱門的賽道之一，吸引了眾多半導體大廠以及初創新銳力量參與其中。
日本羅姆加入碳化硅大軍，遠期投資額增至去年計劃四倍
據報道，日本半導體廠商羅姆(ROHM)將在今年內于福岡縣正式量產碳化硅(SiC)功率半導體，并借此產品開拓純電動汽車及醫療等新市場。
據悉，位于日本福岡縣南部的羅姆阿波羅筑后工廠，是羅姆公司的碳化硅半導體主力基地，也是日本國內企業首次建設的碳化硅功率半導體專用新廠房。該計劃到2025財年（截止到2026年3月）最高向碳化硅功率半導體投資2200億日元，這個數額相對2021年時計劃的增加了4倍。
光希科半導體碳化硅外延片正式投產
11月23日，希科半導體科技(蘇州)有限公司（以下簡稱希科半導體）于蘇州納米科技城召開碳化硅(SiC)外延片投產新聞發布會。該項目年產能可達2萬片。
國內同業一直在國產設備和生產工藝上積極研發以解決我國第三代半導體SiC器件生產用關鍵工藝裝備全部依賴進口的“卡脖子”問題。值得注意的是，此次希科半導體在SiC外延片工藝研發上取得的突破性進展就是采用純國產設備和完全自主的先進工藝，實現了工藝設備、量測設備、關鍵原料的三位一體國產化,完全、干凈、徹底的解決了國外產品的卡脖子問題。這一系列成果均為我國碳化硅行業的新紀錄。
安巢經開半導體產業項目，加速落地
安巢經開區半導體新材料研發生產基地一期項目選址于振興路與云溪路交口，是為碳化硅纖維復合材料及其應用產品投資代建項目。
圖來源：安巢經開區
該項目，一期總投資3億元，其中固定資產投資約2億元，規劃占地22畝，總建筑面積2.8萬平方米。建設2條碳化硅纖維復合材料生產線。一期項目達產后，可年產碳化硅陶瓷基復合材料及其構件產品10噸，可實現產值約10億元，稅收不少于3500萬元。
參考來源：財經網、中國網科學、人民網-安徽頻道
（中國粉體網編輯整理/空青）
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