中國粉體網訊
2022年8月25日，由中國粉體網旗下粉體公開課平臺主辦的“第三代半導體材料研究及測試分析網絡研討會”成功舉辦！本屆研討會旨在為第三代半導體從業者、檢測人員和專家學者提供一個交流的空間，來自武漢大學的周圣軍教授、合肥工業大學鄧二平教授及南京工程學院邵偉華博士分享了精彩的報告。
武漢大學的周圣軍教授作題為《GaN基LED外延外延生長和芯片制造技術》報告
周圣軍教授圍繞提升LED芯片外量子效率展開了詳細報告。在襯底方面，采用光刻膠熱回流和電感耦合等離子體技術相結合，制備出藍寶石圖形襯底，可顯著提升LED芯片的內量子效率和光提取效率。
新型SiO2圖形襯底可以有效抑制AlGaN在圖形襯底的側壁生長，降低外延層缺陷密度，提高紫外LED輻射復合效率。同時還可以提高紫外LED芯片的光提取效率，與藍寶石圖形襯底相比，采用SiO2圖形襯底的紫外LED芯片頂部和底部的光提取效率分別提升了17%和10.7%。
此外，周圣軍教授表示還可以通過激光直寫技術制備金屬線網格透明導電電極，來提升紫外LED芯片外量子效率。
最后，周圣軍教授講解了通過一系列的表面粗化工藝來提高光提取效率以及通過三維倒裝結構來提升LED芯片的光學性能。
南京工程學院邵偉華博士作《碳化硅器件的動態性能表征》
碳化硅功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎，在消費電子、智能電網、電氣化交通、國防軍工等領域，具有不可替代的作用。碳化硅功率器件的性能表征、封裝測試和系統集成具有重要的研究價值和應用前景。對此，邵偉華博士進行了詳細的闡述。
首先，邵偉華博士在場強、能隙、熱導率、熔點、飽和漂移速度等方面對硅和碳化硅做了全面的對比，對比結果表明，碳化硅相比于硅更適合制造高壓、高頻、高溫大功率器件。但是，碳化硅材料也不是完美的，其仍有易引起EMI問題、對寄生參數敏感、對驅動電路要求高、成本高昂等問題。
接著，邵偉華博士介紹了器件表征分類及其功能，具體分為靜態特性表征和動態特性特征。
在本報告中，邵偉華博士就如何準確的進行雙脈沖測試進行了詳細的介紹。首先要求測試設備帶寬高于被測材料帶寬，邵偉華博士根據自己的研究經驗總結一般選用帶寬500MHz以上示波器。其次，在電壓探頭的選擇和使用方面，我們了解到高精度電流探頭、皮爾森電流互感器、羅氏線圈、同軸電阻等不同分類及使用情況。同時，對電壓電流探頭進行校準也是一項必不可少的工作，以減少儀器測量帶來的誤差。
合肥工業大學鄧二平教授作《SiC MOSFET多應力可靠性測試方法和評估》
首先，鄧二平教授對SiC MOSFET器件可靠性測試和評估工作的背景進行了介紹。隨著研究的深入，濕度相關失效逐漸引起了重視，約占功率器件失效的20%，尤其是在光伏、海上風電、電動汽車等戶外工礦更受關注。在光伏領域，晶硅組件模塊有1740項可靠性考核，與濕度相關考核占27%；薄膜組件模塊有370項可靠性考核，與濕度相關考核占28%。其中溫度—濕度耦合是一大失效原因。
在報告中，鄧二平教授針對SiC MOSFET器件可靠性測試評估方法、測試難點、失效機理等進行了詳細闡述。
