中國粉體網訊 在新馬工業園內，湖南德智新材料有限公司半導體用碳化硅蝕刻環項目完成了主體工程建設，并預計在明年初投產。據了解此次半導體用碳化硅蝕刻環項目，總投資約2.5億元，主要用于半導體用碳化硅蝕刻環的研發、制造，投產后年產值超1億元。
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芯片制造在電子學中概述為是一種把電路小型化的方式，其中，刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形，通常采用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料。隨著半導體技術的發展，等離子體刻蝕技術逐漸成為納米量級的半導體器件制備和微納制造工藝中廣泛應用的刻蝕技術。由于微小粒子會引起微電子元器件和電路缺陷，降低成品率，要求微小粒子尺寸必須小于最小器件特征尺寸的 1/10，所以半導體芯片必須在無塵室中制造。隨著圖形尺寸的減小，對微小粒子尺寸的控制要求變得更加嚴格，而解決半導體芯片制造污染問題的關鍵是找到污染源。隨著半導體制造工藝技術的不斷提高，如今對空氣、化學品和生產人員污染的控制變得越來越先進，使得設備成為污染控制的焦點。
離子注入過程中的顆粒污染
因此，在整個刻蝕環節，無論是對刻蝕環境還是參與刻蝕的設備零部件，必須保證其不會產生污染。
所以，SiC刻蝕環作為半導體材料在等離子刻蝕環節中的關鍵耗材，其純度要求極高。一般只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環節。長期以來，圍繞半導體及其配套材料的發展一直是我國生產制造中的薄弱環節，但因其技術壁壘高，長期被美、日、德等國所壟斷，一直是被“卡脖子”的關鍵材料之一。
據了解湖南德智新材料有限公司是一家專業從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復合材料研發，生產和銷售的高新技術企業。2018年，德智新材落戶動力谷自主創新園。隨后，其自主設計的國內最大化學氣相沉積設備完成調試投入使用。這個設備能在高溫、高真空環境下合成鏡面納米碳化硅涂層。目前，德智新材成為國內最大單晶太陽能生產企業——隆基股份等龍頭企業的供貨商。
參考來源：
[1]紅網時刻新聞
[2]譚毅成等.耐等離子刻蝕陶瓷的研究現狀
（中國粉體網編輯整理/山川）
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