中國粉體網訊 近日，國資委公布第三屆中央企業熠星創新創意大賽獲獎名單，國宏中宇第三代半導體“大尺寸碳化硅單晶襯底片項目”赫然在列，榮獲大賽三等獎。據悉此次大賽共吸引3340個項目、2.3萬余人報名參賽。共有516個項目面向社會進行投資路演和對接， 最終有100個項目獲得一二三等獎，另有100個項目榮獲優秀獎。
碳化硅做為第三代半導體的核心材料，擁有更高的禁帶寬度、電導率、熱導率等優良特性，將是未來最被廣泛使用的制作半導體芯片的基礎材料，將在諸如新能源汽車和5G射頻器件等高功率和高頻高速領域大展身手。IHS數據顯示，未來全球碳化硅功率器件市場規模將由2018年的4億美元，增長至2027年100億美元，復合年增長率將達40%；而碳化硅襯底材料市場規模將從2018年的1.21億美元增長至2027年的30億美元，復合年增長率44%。
國宏中宇科技發展有限公司成立于2017年，由中科鋼研節能科技有限公司創設（中國鋼研科技集團混改企業、國資委雙百企業），是致力于碳化硅半導體材料及專用裝備研發與生產的科研創新型企業。公司秉承創新發展是第一生產力的理念始終以科技創新、技術進步為發展理念，以“第三代半導體材料制備關鍵共性技術北京市工程實驗室”的科研成果為基礎，進行自主研發和融合創新，在材料自身制備工藝需求基礎上，自主研制了多種核心工藝裝備，制備出性能優良的碳化硅原料、單晶、襯底片等材料。
（中國粉體網編輯整理/星耀）
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