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研究所概況
中國科學院上海微系統與信息技術研究所原名中國科學院上海冶金研究所，前身是成立于1928年的國立中央研究院工程研究所，是我國最早的工學研究機構之一。新中國成立后隸屬中國科學院，曾命名中國科學院工學實驗館、中國科學院冶金陶瓷研究所。2001年8月，根據學科領域和科研目標的調整，更名為中國科學院上海微系統與信息技術研究所，簡稱上海微系統所。
研究方向
九十年過去了，上海微系統所參與了我國向現代科學技術進軍的全征程。從上世紀五十年代的金屬、陶瓷、鋼鐵冶金研究，發展到六十年代開始的超純金屬、磁性和超導材料、半導體功能材料和器件、集成電路等，到八十年代逐漸形成了微電子學、功能材料和器件、金屬腐蝕與防護三大研究領域。
中科院知識創新工程啟動后，上海微系統所將學科領域調整為電子科學與技術、信息與通信工程兩大重點，確定了“系統帶器件，器件帶材料”的發展戰略。“十二五”期間，上海微系統所進一步凝練出“一三五”戰略目標，通過加快信息與通信工程、電子科學與技術兩大學科建設，在信息網絡/通信（ICT）領域的一些重要方向，如寬帶無線傳感網、微系統及相關材料和器件、超導電子學率先實現創新跨越，發揮了國立研究機構的骨干引領作用，為“十二五”交上一份完美的答卷。
九十年來，上海微系統所歷屆領導班子始終把握一個主線，就是緊緊圍繞國家戰略和國民經濟發展需求，改革調整，與時俱進。在這一方針指引下，上海微系統所在冶金陶瓷、金屬腐蝕與防護、半導體材料和器件、集成電路、微小衛星、信息通信等領域均取得重要成果。
歷任所長
周仁(1928—1973)
周仁先生是中國現代科學技術的先驅，是我國早期學術團體和學術刊物的創始人之一，長期從事冶金陶瓷的研究工作。抗日戰爭時期，研制成功急需的特種鋼材，1949年后，研制成功球墨鑄鐵并推廣生產，該項成果于1956年獲國家自然科學三等獎。1953年負責包頭和大冶兩大鐵礦的冶煉及綜合利用研究工作，解決了含氟高爐煤氣對鋼鐵結構和含氟爐渣對耐火材料的腐蝕。同年周仁遵照周恩來總理的指示，成立了中國古瓷研究小組，研制出一批具有傳統特色、達到古代陶瓷水平的高級陶瓷。周仁與助手撰寫的《我國黃河流域新石器時代和殷商時代制陶工藝的科學總結》等14篇論文，填補了我國陶瓷工藝自古只有經驗而無理論的空白。
鄒元燨(1978—1982)
五十年代初，他和周仁合作對包頭含氟稀土鐵礦高爐冶煉中氟的行為和冶煉過程進行研究，解決了含氟鐵礦高爐冶煉問題并取得高爐設計所需數據，使包鋼得以投入全面建設。1957年，他又承擔攀枝花鐵礦冶煉試驗任務，在國際上首先采用釩、鈦鐵礦高爐冶煉新工藝，實現風口噴吹新技術。同時，他還進行大量的綜合利用研究，完成包鋼高爐渣中提取硅稀土合金。六十年代后，他致力于半導體材料和有關高純金屬及其物理化學研究。在他的領導下，研制出高純金屬鎵、磷、砷等，為國內高純金屬研究和生產奠定良好的基礎。此后，他繼續致力于砷化鎵材料質量的提高及缺陷的研究，運用物理化學觀點研究結構缺陷，提出砷化鎵結構缺陷模型的新理論。
鄒世昌(1983—1997)
鄒世昌在六十年代曾負責國防重點任務甲種分離膜（代號真空閥門）的加工成形工作，是成功研制甲種分離膜的第二發明人。七十年代以后在離子束材料改性、合成、加工和分析等方面進行了系統的研究工作，獨創了用二氧化碳激光背面輻照獲得離子注入損傷的增強退火效應，用全離子注入技術研制成我國第一塊120門砷化鎵門陣列電路，用反應離子束加工成我國第一批閃光全息光柵，研究SOI材料并制成CMOS/SOI電路，發展了離子束增強沉積技術并合成了氮化硅、氮化鈦薄膜。
江綿恒(1997—2002)
研究領域為半導體物理，目前仍在凝聚態物理方面開展研究工作。江綿恒組織并主持了多個中科院重大研究項目，包括燃料電池和氫能、煤基合成油、通信小衛星、無線傳感網、院信息化建設以及面向2008年北京奧運會的大氣環境監測行動等。尤其是作為“創新一號”小衛星首席科學家，他組織領導了“創新一號”數據通信小衛星的研制，采用衛星、測控和地面應用終端一體化設計的技術途徑，對我國微小衛星的研究發展起到了重要作用。“創新一號”小衛星是我國自主研制的第一顆100公斤以下的微小衛星，2003年10月成功發射，2005年獲國家科技進步二等獎（排名第一）。
封松林(2002—2010)
封松林在低維半導體物理、材料和器件等方面作出了多項有意義的工作。創造性地用DLTS方法研究超晶格中的深能級，取得同行公認的結果；作為國內自組織生長量子點研究的開拓者之一，用實驗證據消除了人們對量子點激光器的疑慮，發展了一種通過控制量子點縱向尺寸實現受限能級一致性的新途徑，大幅度提高了材料的質量，實現了激光波長的控制；建立了國內唯一的SPM－MBE聯合系統，在低維材料生長機理研究中取得了有特色的結果等。
王曦(2010—2019)
長期致力于載能離子束與固體相互作用物理現象研究，并將研究成果應用于電子材料SOI（Silicon-on-insulator）的開發。在對離子注入SOI合成過程中的物理和化學過程研究基礎上，自主開發了一系列將SOI材料技術產業化的關鍵技術，建立了我國SOI材料研發和生產基地。在載能離子束與固體相互作用以及離子束輔助薄膜沉積技術研究方面，揭示了載能離子作用下薄膜表面微結構、相組分、電子學、光學、生物學特性，實現了載能離子束薄膜生長的可控制性。曾獲國家科技進步一等獎及何梁何利基金科學與技術進步獎等多項獎勵。
研究成果
上世紀五十年代，在國內率先研制成功球墨鑄鐵，成功解決了包鋼高含氟鐵礦的冶煉和稀土元素回收。六十年代中期，發展微電子和集成電路制造技術，與工業部門合作研制出國內第一塊工業實用PN結隔離集成電路、ECL高速電路和國內第一塊8位、16位微處理器。八十年代中期，開展微電子機械系統（MEMS）和絕緣體上硅（SOI）材料研究，居國內領先地位，并在國際上占據了重要的一席之地。
1998年進入知識創新工程后，上海微系統所成功發射創新一號01、02和03星、“神舟七號”伴星，是我國微小衛星的重要研制基地；實施了上海世博會防入侵傳感網、浦東機場防入侵系統、太湖水質監控傳感網、南水北調中線安防系統等物聯網應用示范工程，引領物聯網核心技術，推升為國家戰略性新興產業；研發出具有自主知識產權的寬帶無線通信系統，應用于汶川和玉樹抗震搶險、上海世博會等重大事件，在抗震救災、維穩、公共安全、數字化城市等方面發揮了不可替代作用；SOI材料實現產業化，填補國內空白，應用于國家重大關鍵工程，控股的上海新傲科技股份有限公司是國內唯一一個具有國際先進水平的國家級高端硅基材料產業化基地。
“十二五”以來，上海微系統所作為中科院第一個系統級型號任務的技術總體單位，突破了多功能復合傳感器等關鍵技術，確立了特種寬帶無線傳感網系統解決方案，實現了在我國相關單元的大規模應用和通信體制由窄帶向寬帶的技術跨越。研制成功國內第一顆基于SOI材料的0.13um工藝大規模高可靠專用集成電路ASIC芯片，應用于北斗導航衛星等國家關鍵工程，為我國航天核心元器件的自主可控奠定堅實基礎。超導單光子探測器SNSPD助力中科大潘建偉院士在國際上首次實現防止黑客攻擊的200公里測量器件無關量子密鑰分發，成果入選兩院院士評選2014年中國十大科技進展。超高g加速度傳感器為我國戰略裝備提供了不可替代產品，打破國際禁運。發起設立的MEMS技術產業化平臺-上海微技術工業研究院被列為上海建設具有全球影響力科創中心的“四梁八柱”。
自建國以來，上海微系統所獲得國家級科技獎項46項、部省級347項，其中“甲種分離膜”技術獲國家科技進步特等獎，“高速、超高速雙極型數字集成電路”、“高端硅基SOI材料研發和產業化”獲國家科技進步一等獎。
未來，上海微系統所將按照“面向世界科技前沿、面向國家重大需求、面向國民經濟主戰場”的新時期辦院方針，充分發揮電子科學與技術、信息與通信工程兩大學科優勢，解決智能感知微系統、超導量子器件與電路、高端硅基材料等方向的重大關鍵科學和技術難題，實現創新跨越并推廣應用，成為信息網絡/通信（ICT）領域不可替代、“四個一流”的國立研究機構，為建設創新型國家和世界科技強國做出更大貢獻。
信息來源：中國科學院上海微系統與信息技術研究所
（中國粉體網編輯整理/黑金）
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