中國粉體網(wǎng)訊 第三代半導體功率器件設(shè)計和方案商派恩杰半導體（杭州）有限公司（下稱“派恩杰半導體”）近日完成了數(shù)千萬元天使輪融資。本輪融資由深圳創(chuàng)東方投資（下稱“創(chuàng)東方”）投資。派恩杰半導體持續(xù)專注于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計研發(fā)，并已經(jīng)實現(xiàn)系列產(chǎn)品量產(chǎn)。
公司創(chuàng)始人黃興博士指出，本輪資金將用于碳化硅功率器件研發(fā)、人才團隊建設(shè)、市場推廣和產(chǎn)品備貨。“本輪融資無疑是給我們資金上的有力支持，能夠加快我們產(chǎn)品的步伐，同時也幫助我們擴充人力、快速布局市場。”黃興說。
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體被視作下一個重要的產(chǎn)業(yè)賽道。相比第一、第二代半導體，第三代半導體具有寬禁帶、高耐壓、低阻抗等諸多優(yōu)勢，特別適用于高功率和高頻高壓場景，其中設(shè)計和制造工藝相對更成熟的碳化硅，目前已在新能源汽車、充電樁、光伏、風電、工控等眾多領(lǐng)域得到越來越廣泛的應用。
長期專注硬科技領(lǐng)域創(chuàng)投的創(chuàng)東方投資看好該領(lǐng)域的未來發(fā)展前景。創(chuàng)東方稱，預期到2024年，第三代半導體的滲透率將從當前的約1%快速提升至5%以上。而派恩杰半導體正是創(chuàng)東方投資團隊在第三代半導體這一關(guān)鍵賽道中精選的具備技術(shù)領(lǐng)先性、產(chǎn)品落地性、市場廣闊性和增長確定性的領(lǐng)跑者。
“半導體行業(yè)是不怕‘論持久戰(zhàn)’的。事實上是，真正擁有從技術(shù)到產(chǎn)品到市場整合優(yōu)勢等各方面綜合能力的團隊并不多，而各類資源方，不論是產(chǎn)業(yè)資本以及投資機構(gòu)等，在市場上反而是充裕的。”創(chuàng)東方投資合伙人謝玉娟對集微網(wǎng)指出，從投資方的角度，更注重的在于選擇靠譜的團隊和項目，并且希望陪著團隊慢慢成長。
投資團隊認為，派恩杰半導體是目前國內(nèi)唯一自研并向市場廣泛推廣碳化硅SBD+MOS系列產(chǎn)品線的供應商，主打的碳化硅MOS產(chǎn)品平均比國內(nèi)同行領(lǐng)先兩代以上（3-5年），關(guān)鍵性能參數(shù)達到全球一流水準。同時，公司的銷售團隊為來自Cree和Rohm的高級別資深銷售，使得公司可以更廣泛和精準地觸達客戶需求。
黃興表示，新能源汽車市場的應用將是未來碳化硅的主要增長驅(qū)動力，目前也已經(jīng)有車企在和他們談合作，接下去公司將進一步專注車規(guī)級碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)量產(chǎn)。而從產(chǎn)業(yè)及技術(shù)鏈條層面來看，接下去的兩年也有望進入從IGBT向碳化硅的轉(zhuǎn)換期，“大家漸漸地發(fā)現(xiàn)，碳化硅對于整個車的效率，甚至是靜音方面是有很大的作用的。比如使用IGBT，它電極的噪音還是比較明顯的，而碳化硅就幾乎聽不到噪音。”黃興解釋，他預期，今年國內(nèi)就會有碳化硅的樣車出現(xiàn)，從明年開始會有一個逐步地從IGBT轉(zhuǎn)向碳化硅的過程。
公開資料顯示，派恩杰半導體成立于2018年9月，致力于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計研發(fā)與產(chǎn)品銷售，以實現(xiàn)國有品牌替代。公司創(chuàng)始核心團隊均來自行業(yè)知名公司，具備10年以上半導體行業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、管理和銷售經(jīng)驗。值得一提的是，公司成立6個月時即完成第一款可兼容驅(qū)動650V氮化鎵HEMT產(chǎn)品；同年發(fā)布Gen3技術(shù)的1200V碳化硅MOS產(chǎn)品，HDFM技術(shù)指標國內(nèi)領(lǐng)先；2020年公司推出低VF高浪涌650V碳化硅SBD產(chǎn)品，實現(xiàn)技術(shù)再次迭代。目前公司的產(chǎn)品有碳化硅SBD、碳化硅MOS、氮化鎵HEMT等三大系列，涵蓋650V-3300V的電壓平臺、50余款不同型號的碳化硅和氮化鎵功率器件，廣泛應用于服務器及數(shù)據(jù)中心電源、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電機、逆變器等場景和領(lǐng)域。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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