作為我國著名微電子學與固體電子學家，郝躍院士開拓和引領了我國第三代（寬禁帶）半導體材料與器件的發展，創建了我國第三代半導體氮化鎵外延生長、器件結構以及制造工藝的理論與技術體系，實現了我國第三代半導體從核心設備、材料到器件的重大創新，為我國在氮化物第三代半導體電子器件步入國際領先行列做出了重要貢獻。
寬禁帶半導體材料與器件發展歷程
上世紀九十年代，信息科技蓬勃興起，作為信息時代技術基礎的集成電路-微電子技術成為大熱門。郝躍敏銳地感覺到傳統的微電子技術研究已經遇到了問題，尋找新的方向，是學術帶頭人郝躍直覺到的內在要求。他把目光轉向化合物半導體，并最終聚焦到國際上剛起步的寬禁帶半導體材料——氮化鎵、碳化硅。他看到，寬禁帶半導體材料研究可以把電子學與光學緊密結合，必然具備單純的電子學或光學不具備的優勢，同時也有很高的學術和應用價值，容易形成先發優勢。
于是，他的研究開始聚焦到國際上剛起步的寬禁帶半導體材料氮化鎵、碳化硅，并將突破高質量的寬禁帶半導體材料，通過一系列微電子工藝技術做成寬禁帶半導體器件和集成電路，再把其推廣應用到生產生活各個領域，作為自己及其團隊的責任和使命。
新型氮化物半導體國際上稱為第三代材料，又稱為寬禁帶半導體材料。氮化物半導體器件在通信、電力系統、照明、生物、醫療，以及軍事領域具有十分廣泛的應用前景。
對此，郝躍和團隊的研究取得了一系列創新成果，2004年，西安電子科技大學寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室掛牌；2005年前后，國內寬禁帶半導體產業開始發展之時，西安電子科技大學的寬禁帶半導體研究已經有了深厚的積累，出版了國內最早探討寬禁帶半導體的專著《碳化硅寬帶隙半導體技術》；2007年，寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室獲批；2019年，國家工程研究中心建設獲批。
如今，以郝躍為學術帶頭人的寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室，已成為國內外寬禁帶半導體材料和器件科學研究、人才培養、學術交流、成果轉化方面的重要基地，引領我國寬禁帶半導體研究自主發展，服務產業工程應用。
郝躍科研課題組介紹
郝躍院士團隊是國家首批國防科技創新團隊、西安電子科技大學優秀創新團隊，國內最早開展寬禁帶半導體材料與器件研究的團隊，在國內外有顯著的學術影響力。
主要研究方向包括：寬禁帶半導體材料與器件、微納米半導體器件與器件物理、SoC設計與設計方法學、半導體器件可靠性與失效物理等。
研究團隊擁有1200平米超凈實驗室，擁有從設備制造、材料生長、器件設計、工藝流片、可靠性測試分析的全套實驗平臺，設備價值1.2億元，在國內高校首屈一指。研究團隊得到了國家科技重大專項、863計劃、973計劃、國家自然科學基金等多項重大項目的支持，經費充足，年均科研經費5000-9000萬元。
團隊帶頭人：郝躍院士
郝躍，男，漢族，1958年3月生于重慶市，籍貫安徽阜陽，2014年加入九三學社。中國科學院院士，微電子學家。
IEEE高級會員，中國電子學會常務理事，陜西電子學會、集成電路行業協會和陜西半導體照明協會理事長。國家重大專項實施專家組組長，總裝微電子專家組組長，國家電子信息科學與工程專業指導委員會副主任委員。現任九三學社中央常委、陜西省委會主委，中國僑聯常委、陜西省僑聯主席，西安電子科技大學微電子學院教授、博士生導師，全國政協委員。
長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養，是國家重大基礎研究(973)計劃項目首席科學家、國家有突出貢獻的中青年專家和微電子技術領域的著名專家。他在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體照明短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。
參考來源
西安電子科技大學官網、陜西科技傳媒、陜西科技報社、百度百科
