中國粉體網訊 2019年12月27日上午，江蘇天科合達半導體有限公司投產儀式在徐州經濟技術開發區鳳凰灣電子信息產業園內拉開序幕。
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蒞臨投產儀式的有：中國科學院物理研究所黨委書記文亞；新疆生產建設兵團科技局原局長田笑明；中國科學院大學黨委副書記高隨祥；國家集成電路產業大基金唯一管理機構——華芯投資管理有限責任公司投資一部總經理湯樹軍；北京天科合達半導體股份有限公司法人代表、總經理，江蘇天科合達半導體有限公司董事長楊建；中國科學院物理所重點實驗室主任，北京天科合達半導體股份有限公司首席科學家陳小龍；日本高鳥公司副社長松田；江蘇中科漢韻半導體有限公司總經理許恒宇；等一批半導體業內精英、大咖共百余人參加了投產儀式。
現場與會領導及嘉賓參觀了江蘇天科合達生產車間，車間內250臺（套）碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋設備的碳化硅襯底生產線早已安裝就緒，蓄勢待發。據悉，江蘇天科合達半導體項目總投資5億元，占地面積26000平方米，可實現年產4-8英寸碳化硅襯底6萬片，該項目順利建成投產標志著天科合達的碳化硅產業化進程跨出了關鍵的一步，同時也標志著我國第三代半導體碳化硅襯底產業的發展進入一個嶄新的階段。
另據半導體行業觀察，為了發展碳化硅，天科合達在去年還收購了不少碳化硅專利。去年12月11日，天科合達發布公告，公司將購買股東中國科學院物理研究所獨有以及與公司共有部分專利。公告顯示，經與中國科學院物理研究所協商，天科合達擬現金出資購買中國科學院物理研究所獨有以及與公司共有的碳化硅相關專利，該部分無形資產評估價值1021.81萬元，擬定收購價格為1021.81萬元。
北京天科合達半導體股份有限公司于2006年9月由新疆天富集團、中國科學院物理研究所共同設立，目前注冊資本為10364.2866萬元，是一家專業從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發、生產和銷售的高新技術企業。公司為全球SiC晶片的主要生產商之一，并于2017年4月10日掛牌新三板。
資料來源：寬禁帶半導體技術創新聯盟、半導體行業觀察。
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