中國粉體網訊 第三代半導體產業是“中國制造2025”中的高端裝備制造、高壓輸變電、軌道交通、純電動汽車產業發展的基礎；是5G通訊、大功率軍用雷達的核心要素；是實現物聯網和2030節能減排目標的重要支撐，發展第三代半導體產業已經列入我國十三五規劃和中國制造2025規劃，是國家戰略性新興產業。
創新驅動，聚力產業化運營
高新技術的產業化一直是個世界性難題，即使是市場經濟充分發展的發達國家也常常面臨高新技術的產業化困境。碳化硅技術的產業化使得山東天岳公司同樣經歷了一個異常艱難的創新攻關過程。
山東天岳公司從山東大學獲得的碳化硅材料技術雖然早已通過了國家重大專項的驗收，但仍然只是實驗室技術。從實驗室技術到工業化產品工藝存在著著名的“產業化鴻溝”。所謂“產業化鴻溝”實際更是一道“研發鴻溝”——碳化硅半導體技術門檻極高，在碳化硅半導體材料工業化批量生產、加工的各個環節都會有一個又一個新的世界級的難題需要去逐個破解，需要進行大量的產業化實驗，實際上對實施產業化企業的研發能力和研發投入提出了更高的要求。
打鐵還需自身硬，堅持自主創新是山東天岳科技創新最基礎最關鍵的一環。為此，公司成立了十余個自主創新攻關小組，累計投入數千萬元的研發費用，進行了3000多次工藝試驗，科技人員更是“五加二白加黑”的連續奮戰，經過不懈努力取得了數千項產業化科研成果，攻克了碳化硅晶體切割、研磨、拋光等系列加工技術的世界級難題，摸索出一條成熟穩定的碳化硅襯底材料生產、加工工藝路線！
閉門造車沒有出路。中國碳化硅半導體技術長期落后，只有充分利用國內、國際兩種資源才能實現快速發展。宗艷民大膽提出讓全世界有擔當的華人科學家協同創新、聯合突破的創新思路。
在國內，與山東大學建立了碳化硅材料及器件聯合研發中心，產業化過程中存在的技術問題協同攻關；與香港大學合作，研發新一代碳化硅晶體生長溫場控制技術，功克了溫場控制的世界性難題。
在國外，與澳大利亞昆士蘭微納米技術研究中心合作，進行碳化硅基肖特基二極管、金屬氧化層半導體場效晶體管、大功率發光二極管等產品的研發；與美國加州大學、石溪大學、德國德累斯頓流體力學研究所等碳化硅領域全球的頂尖機構和人員進行不同形式的合作。
山東天岳大膽實施的一系列協同創新布局不僅使公司能夠緊跟世界碳化硅半導體技術發展的最前沿，繼續保持著技術領先地位，同時對全球碳化硅半導體科技資源的整合，山東天岳公司獲得了頂級的全球性聯合研發團隊，為未來技術發展打下了堅實的基礎。
技術創新離不開制度創新的保障。工程師出身同時擁有豐富企業管理經驗的宗艷民對兩者的關系深有體會。他創新性地提出要以經營的思路進行創新管理,努力在公司內部形成開放包容、不拘一格、全員參與的創新氛圍。
為此，公司建立科技立項和科技獎勵制度，鼓勵技術人員和生產一線員工進行技術創新立項，立項后公司提供技術創新資金支持，每年公司組織專家對當年立項的技術成果進行評選，對獲獎的團隊和人員進行創新獎勵，一等獎最高額為50萬元。
同時實行錯誤包容機制，對于員工申請設立的不成功的項目，公司不予追究責任。這種創新形式的激勵機制極大地激發了全員的創新熱情，人人想創新敢創新，公司幾乎每個崗位都有自己的創新立項，整個企業迸發出空前的創新活力。
創新關鍵在人才，特別是對人才的管理和使用尤為重要。在創新過程中怎么樣才能人盡其用，發揮人才的最大潛能是山東天岳一直思考的問題。
針對產業化實驗環節既需要技術又需要大量資金，既需要科技技術人員又需要產業界的工程技術人員的特殊要求。宗艷民利用天岳公司作為民營企業的靈活的機制，創新性地整合科研院所和企業的人才資源和技術資源，將生產試驗所需的科技技術人員和產業界的工程技術人員進行有機結合，組成聯合攻關小組，共同進行生產線設計、工藝固化、設備選型等各項產業化實驗的方案制定和具體實施。
這種人員組合模式使科研人員的創新性設想在工程技術人員的協助下變為現實，讓工程技術人員在具體實施中發現的創新方法得到總結提高和推廣。創新性地用人機制也為企業迅速培養出高素質的人才——年僅28歲的山東天岳公司總工程師成為山東省最年輕的高級職稱獲得者。
也正是憑借這一創新性的做法，在進行碳化硅生產線建設時，國內外沒有可供借鑒學習的實例，技術人員連半張國外同行的圖紙，甚至核心廠房外觀圖樣都沒見過的情況下，宗艷民帶領十余個這樣的聯合攻關小組邊干邊摸索，一遍遍實驗，一點點固化，從“零”開始打造出了一條具有國際先進水平的生產線！
以技術創新帶動制度創新，以制度創新促進技術創新，兩種創新的有機結合和協同發展成為宗艷民以“中國速度”突破轉化瓶頸的有力法寶，得以迅速取得碳化硅半導體技術產業化的成功。
初心不忘，力圓半導體興國夢
一片3英寸的碳化硅襯底在國際市場上售價達到數千美元，利潤率更是十分可觀。在實現碳化硅半導體產業核心的材料突破后，山東天岳公司沒有局限在自己取得領先地位的領域沾沾自喜、止步不前。公司關注的仍然是國際碳化硅半導體產業發展的大趨勢大潮流，關注的仍然是如何利用材料技術突破的機會實現整個中國碳化硅半導體產業的崛起。
中國的碳化硅半導體材料技術雖然已經處于世界先進水平，但中下游產業特別是民用應用領域的發展卻非常滯后。
中國碳化硅半導體要利用這次領先機會成功實現振興發展，唯一的道路就是迅速打通產業鏈，實現產業聯合。只有這樣才能在最短的時間內將技術優勢轉化為產業優勢、市場優勢和經濟優勢。
為此，山東天岳公司在2013年底成功發起成立了中國寬禁帶半導體產業聯盟，并被成員單位一致推舉為理事長單位。強調著眼于產業發展的需求，這個產業聯盟從成立之初就打破構成限制，成員既包括國家電網、南車集團、中電集團等國企巨頭，也包括山東天岳、東莞天域等民營企業和廈門瀚天等合資企業，涵蓋了我國碳化硅半導體產業鏈各個核心環節的骨干。
產業聯盟成立后通過資源整合、產學研合作、技術創新等方式積極促進上、中、下游的企業的交流與合作，并以聯盟為紐帶，積極幫助企業引進國外先進技術和先進人才，建設技術研發平臺和公共服務平臺，在短時間內為推動我國碳化硅產業鏈的上下游聯合做了大量工作。
值得一提的是，在碳化硅半導體產業最早起步的美國，其產業聯盟直到2014年才在總統奧巴馬的親自主持下在加州成立——后起的中國碳化硅半導體產業在產業發展步伐上卻領先了發達國家一步。
與此同時，山東天岳公司抓住難得的機遇，積極通過自身的力量實施寬禁帶碳化硅半導體產業鏈的貫通。在材料方面，山東天岳公司正在進行6英寸碳化硅襯底的研發及產業化，預計兩年內實現產業化，產品尺寸和質量將完全達到國際先進水平，成為國際碳化硅晶體材料行業的主要供應商之一；在芯片和器件方面，山東天岳公司在美國和澳洲等組建了海外研發團隊進行器件研發，兩年內可以實現1700伏10安培肖特基二極管及場效應管的技術突破；在應用方面，天岳公司正在與南車時代、華為海思等企業合作，加大下游應用的開發投入。
可以預見的是，通過企業的努力和國家的支持，山東天岳公司等碳化硅半導體核心企業利用3到5年的時間就可以打通新一代碳化硅半導體產業鏈，利用5到10年的時間就有望躋身世界碳化硅半導體產業前列，使中國突破“空芯”。
