在一項(xiàng)旨在開發(fā)更輕便的飛行器和更靈巧的汽車的技術(shù)研究中，研究者們開發(fā)出了一種高質(zhì)量的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)技術(shù)，這種材料能夠比硅元素更能勝任于當(dāng)今極端苛刻的電氣工作環(huán)境，由這種原材料制造的設(shè)備無(wú)需像在電力系統(tǒng)，噴氣式引擎，火箭，無(wú)線發(fā)送裝置和其他需要暴露在惡劣環(huán)境下的采用硅電子技術(shù)的設(shè)備一樣需要安裝消耗空間、重量以及成本的散熱和保護(hù)裝置便能維持其正常運(yùn)行。另外由于這種材料--金剛砂(即碳化硅)的生產(chǎn)質(zhì)量要比以前有大幅進(jìn)步，因此它可以用于制造更加可靠和復(fù)雜的電子設(shè)備。這是日本的研究人員于本周四的自然科學(xué)雜志上發(fā)表的看法。
法國(guó)國(guó)家工藝研究院的物理系教授羅蘭-梅達(dá)在為該份研究報(bào)告作評(píng)時(shí)指出，這項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)為這種困擾了工程師數(shù)十年的材料的商業(yè)化轉(zhuǎn)型鋪平了道路。“這些結(jié)果是引人注目的，它的工藝是材料科學(xué)界的一項(xiàng)重大革新”，他說(shuō)，“碳化硅終于成為了硅在半導(dǎo)體王國(guó)王位的有力競(jìng)爭(zhēng)者。”不過(guò)，來(lái)自豐田中央研發(fā)實(shí)驗(yàn)室的這些日本研究人員則認(rèn)為，碳化硅實(shí)際的應(yīng)用至少是六年以后的事情。
硅元素目前仍占據(jù)著當(dāng)今電子領(lǐng)域舉足輕重的基礎(chǔ)地位，然而它的缺點(diǎn)在于，在高溫或者輻射的環(huán)境下其工作效能不夠穩(wěn)定而且效率低下。但碳化硅的耐溫本領(lǐng)是如此之強(qiáng)，以至它被用于制造航天飛機(jī)的隔熱外層，它具有硅一樣的半導(dǎo)體特性 ，但它的硬度又同時(shí)能與鉆石媲美，但它這耐高溫的特性又使得它難以通過(guò)傳統(tǒng)的制造工藝來(lái)鑄造成幾近100%純度的半導(dǎo)體晶圓，而之前碳化硅的制造工藝未及完善，因此也無(wú)法用于制造處理器或內(nèi)存芯片等復(fù)雜設(shè)備。
法國(guó)國(guó)家工藝研究院的物理系教授羅蘭-梅達(dá)在為該份研究報(bào)告作評(píng)時(shí)指出，這項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)為這種困擾了工程師數(shù)十年的材料的商業(yè)化轉(zhuǎn)型鋪平了道路。“這些結(jié)果是引人注目的，它的工藝是材料科學(xué)界的一項(xiàng)重大革新”，他說(shuō)，“碳化硅終于成為了硅在半導(dǎo)體王國(guó)王位的有力競(jìng)爭(zhēng)者。”不過(guò)，來(lái)自豐田中央研發(fā)實(shí)驗(yàn)室的這些日本研究人員則認(rèn)為，碳化硅實(shí)際的應(yīng)用至少是六年以后的事情。
硅元素目前仍占據(jù)著當(dāng)今電子領(lǐng)域舉足輕重的基礎(chǔ)地位，然而它的缺點(diǎn)在于，在高溫或者輻射的環(huán)境下其工作效能不夠穩(wěn)定而且效率低下。但碳化硅的耐溫本領(lǐng)是如此之強(qiáng)，以至它被用于制造航天飛機(jī)的隔熱外層，它具有硅一樣的半導(dǎo)體特性 ，但它的硬度又同時(shí)能與鉆石媲美，但它這耐高溫的特性又使得它難以通過(guò)傳統(tǒng)的制造工藝來(lái)鑄造成幾近100%純度的半導(dǎo)體晶圓，而之前碳化硅的制造工藝未及完善，因此也無(wú)法用于制造處理器或內(nèi)存芯片等復(fù)雜設(shè)備。
