中國粉體網訊 首先,要搞清楚一個問題。為什么SiC要先制作襯底,再在襯底上外延SiC制成外延片?而不是直接切下來?簡單來講,碳化硅晶體在生長過程中會不可避免地產生缺陷、引入雜質,導致襯底材料的質量和性能都不夠好,而外延層的生[更多]
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