半絕緣型SiC襯底

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中國粉體網訊 在碳化硅生產流程中，襯底占整個碳化硅產業價值量的46%，為核心環節，類型可分為導電型和半絕緣型襯底。導電型SiC襯底可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件，應用在新能源汽車，軌道交通以及大功[更多]