SiC外延缺陷

推薦新突破！SiC外延片邁向無缺陷

中國粉體網訊 近日，新加坡A-STAR微電子研究所和法國SOITEC發表了一篇文章，題為《SiC外延片邁向無缺陷》。我們經常說的SiC外延，指的是SiC材料的襯底上生長一層具有特定晶體取向的SiC單晶薄膜的過程。其可以制造各[更多]