MOCVD

推薦下一代功率電子材料--AlGaN

中國粉體網訊 到目前為止，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）作為功率電子器件晶體管的半導體材料的研發(fā)已經取得進展，并且已經開始實用化。通常由輕元素構成的半導體的介電擊穿電阻較高，但是如果將GaN中的一部分Ga替換為較輕的Al[更多]