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4英寸SiC襯底片
4英寸SiC襯底片

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型號

4英寸SiC襯底片

品牌

博雅新材

產地

四川

樣本

暫無
眉山博雅新材料股份有限公司

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眉山天樂半導體4英寸SiC襯底片產品標準
4-inch SiC Substrate Specification
序號
Item
等級
Grade
精選級(Z級)
Zero MPD Grade
工業級(P級)
Production Grade
測試級(D級)
Dummy Grade
1.晶體參數 Boule Parameters
1.1 晶型 Polytype4H-N
1.2表面晶向偏離度 Surface orientation errorOff axis:4.0°toward <11-20>±0.5°,On axis:<0001>±0.5°
2.電學參數 Electrical Parameters
2.1摻雜劑 DopantNitrogen
2.2電阻率 Resistivity0.015-0.028Ω·cm
3.機械參數 Mechanical Parameters
3.1直徑 Diameter99.5mm-100.0mm
3.2厚度 Thickness350μm±15μm350μm±25μm
500μm±15μm500μm±25μm
3.3主定位邊方向 Primary Flat Orientation
{10-10}±5°
3.4主定位邊長度 Primary Flat Length32.5mm±2.0mm
3.5局部平整度 LTV≤2.5μm≤2.5μm≤5μm
3.6總厚度變化 TTV≤5μm≤5μm≤15μm
3.7彎曲度**值 BOW≤25μm≤25μm≤40μm
3.8翹區度 Warp≤25μm≤35μm≤60μm
3.9正面(硅面)粗糙度(AFM)Front (Si-face) RoughnessRa≤1nm
4.結構 Structure
4.1微管密度 Micropipe density≤0.1cm-2≤0.2cm-2≤15cm-2
4.3螺位錯 TSD≤200cm-2≤500cm-2≤1000cm-2
4.4基平面位錯 BPD≤400cm-2≤800cm-2/
4.5刃位錯 TED≤2000cm-2≤4000cm-2/
5.正面質量 Front Quality
5.1表面處理 Surface finishCMP
5.2顆粒 Particle


5.3劃痕 ScratchesNone
5.4缺口/崩邊/裂紋/疵點/沾污 Edge chips/indents/cracks/stains/contaminationNone
5.5多晶型 Polytype areasNoneNoneCumulative area ≤3%
5.6正面激光標記 Front marking
/
6.背面質量 Back Quality
6.1背面處理 Back finish
CMP
6.2背面劃痕 ScaratchesNoneNoneCumulative length ≤1x wafer diameter
6.3背面缺口/崩邊 Back defects edge chip/indentsNone
6.4背面粗糙度 Back roughnessRa≤0.2 mmRa≤0.2 mmRa≤0.5 mm
6.5背面激光標記 Back marking
距離邊緣1mm ( from top edge)
7.邊緣輪廓 Edge
7.1邊緣輪廓 Edge exclusion3 mm
8.包裝 Packaging
8.1激光標記 Laser Marking(carbon side)Carbon face
8.2包裝 Packaging單片或25片包裝
Notes: None means no request.


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產品質量

10分

售后服務

10分

易用性

10分

性價比

10分
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