采用電阻加熱和改進的自蔓延高溫合成法，

合成可用于單晶生長的高純SiC粉料的設備。

可提供半定制化服務

高真空

腔體內壁經鏡面拋光，減少氣體附著；

各表面嚴密結合，避免產生泄露；

大抽速泵體，實現快速抽空功能；

高密封性閥體，實現長時間的真空保壓。

高精密

高精度數控加工部件；

精密傳動部件；

高品質電控系統；

實現運動系統的高精度控制，重復定位無偏差。

全自動

自主開發系統，實現全自動過程；

兼容各種工藝操作流程；

操作權限分級，減少誤動作；

自主研發異地網絡遠程監控SiC操作系統——安全，可靠，便捷，實現無人值守遠程控制。

碳化硅原料合成爐(100~150kg,電阻式) 

晶體尺寸 100 ~ 150kg 

工藝 SHS 

加熱方式 電阻式 

基本參數 主機尺寸 W3150 x D1850 x H4780mm 

整機重量 約5T 

支持系統 電     源 容    量 280kVA 

電    壓 380VAC±10%, 3P,  50/60Hz 

冷 卻 水 壓    力 0.3 ~ 0.5MPa 

流    量 ＞250L/min 

工藝氣體 壓    力 ＞0.2MPa 

壓縮空氣 壓    力 0.5 ~ 1.0MPa