產(chǎn)品概述：
主要由爐室組件、上爐室組件、樣品支撐機構、測溫窗傳動組件、真空獲得及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、水路系統(tǒng)、感應加熱系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)等組成。要求設備結構設計穩(wěn)定，運行平穩(wěn)，且有多項安全防護設施，質(zhì)量流量及溫度控制精確，整個晶體生長過程由高可靠的可編程計算機控制器（PCC）控制，并可實現(xiàn)過程全自動（CCD）控制、信息記錄。

設備用途：
本設備要求采用感應加熱方式，在惰性氣體（氬氣）環(huán)境下將石墨坩堝中的碳化硅粉末升華，沉積到碳化硅單晶仔晶上，即物理氣相沉積法（PVT法）生長6″碳化硅單晶。