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Bhadra?立式LPCVD BHC200
功能
氮化硅/氧化硅/多晶硅(Poly-Si)/非晶硅(α-Si)薄膜沉積
適用于功率半導體/襯底材料
重要參數
**晶圓尺寸:8寸及以下晶圓
**載片量:125片/批
**加熱溫度:1050℃
成膜種類:根據不同工藝要求工藝源可選配
裝卸片方式
立式垂直升降
垂直真空密封系統
先進的壓力控制技術
五區高精度溫度場控制
先進的顆粒控制技術
先進微環境氧含量控制
穩定的傳輸控制能力
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產品質量
售后服務
易用性
性價比
冷熱臺(LND)
全自動在線文博考古分析儀 便攜式手持文博考古光譜儀
國產臺式場發射掃描電子顯微鏡
高壓等溫吸附儀
XF旋風收集器
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