紅外輻射源，TO39，帶蓋，填充氣體Kr和濾光片A4

帶有蓋和濾光片的紅外輻射源，具有透射紫外線-14 μm和優化的性能

•高調制頻率

•高輻射功率

•使用壽命長

•較低的輸入功率和相同的光功率

•氟化鋇濾光片堅固耐用，不受環境影響

描述

用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能膜由納米非晶碳組成，其膜溫度高達850°C。它可以實現長期穩定的高輻射輸出。填充氣體和濾光片的組合可優化從UV到14 μm波長范圍內的發射。帶蓋的包裝形式適用于測量Max.2 cm的截面。

與MTS熱電堆傳感器配合使用。

技術指標

紅外輻射源，TO39，帶蓋，填充氣體Kr和濾光片A2

帶帽蓋和濾光片的紅外輻射源，具有透射紫外線-12 μm和優化的性能

•高調制頻率

•高輻射功率

•較低的輸入功率和相同的光功率

•使用壽命長

描述

用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳組成，其薄膜溫度高達850°C。它可以實現長期穩定的高輻射輸出。填充氣體和濾光片的組合可優化從UV到12 μm波長范圍內的發射。帶蓋的包裝形式適用于測量Max.2 cm的截面。

與MTS熱電堆傳感器配合使用。

技術指標

紅外輻射源，TO39，帶蓋，填充氣體Kr和濾光片A1

帶帽蓋和濾光片的紅外輻射源，具有透射紫外線-5.5 μm和優化的性能

•高調制頻率

•高輻射功率

•使用壽命長

•低輸入功率和相同光功率

•藍寶石濾光片可抵抗環境影響

描述

R用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的輻射源。MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳組成，其薄膜溫度高達850°C。它可以實現長期穩定的高輻射輸出。填充氣體和濾光片的組合可優化從UV到5.5 μm波長范圍內的發射。帶蓋的包裝形式適用于測量Max.2 cm的截面。

與MTS熱電堆傳感器配合使用。

技術指標

紅外輻射源，TO39，帶蓋子和濾光片A4

帶蓋和濾光片的紅外輻射源，具有透射紫外線-14 μm

•高調制頻率

•高輻射功率

•使用壽命長

描述

用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳組成，其薄膜溫度高達850°C。它可以實現長期穩定的高輻射輸出。帶蓋的包裝形式適用于測量Max.2 cm的截面。

技術指標

紅外輻射源，TO39，帶蓋子和濾光片A2

帶蓋和濾光片的紅外輻射源，具有透射紫外線-12 μm

•高調制頻率

•高輻射功率

•使用壽命長

描述

用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳組成，其薄膜溫度高達850°C。它可以實現長期穩定的高輻射輸出。帶蓋的包裝形式適用于測量Max.2 cm的截面。

技術指標

紅外輻射源，TO39，帶蓋和濾光片A1

帶帽蓋和濾光片的紅外輻射源，透射紫外線-5.5μm，

•高調制頻率

•高輻射功率

•使用壽命長

•藍寶石濾光片可抵抗環境影響

描述

用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能膜由納米非晶碳組成，其膜溫度高達850°C。它可以實現長期穩定的高輻射輸出。填充氣體和濾光片的組合可優化從UV到5.5 μm波長范圍內的發射。帶蓋的包裝形式適用于測量Max.2 cm的截面。

與MTS熱電堆傳感器配合使用。

技術指標

紅外輻射源，TO 39芯片在接頭上

適用于所有NDIR氣體分析應用的接頭上的IR發射器芯片

•高調制頻率

•高輻射功率

•使用壽命長

描述

用于NDIR氣體分析和其他紅外測量應用的紅外輻射源。MEMS紅外發射器的高性能薄膜由納米非晶碳組成，其薄膜溫度高達850°C。它可以實現長期穩定的高輻射輸出。作為芯片上的接頭，IR發射器可以在TO封裝上進行單獨處理。

技術指標