兆聲濕法去膠技術(shù)

SWC-4000 (D)兆聲濕法去膠系統(tǒng)概述：

**技術(shù)的兆聲和清洗技術(shù)的發(fā)展，對MEMS和半導(dǎo)體等領(lǐng)域的晶圓和掩模版清洗提供了**的水平，可以幫助用戶獲得*干凈的晶圓片和掩模版。

NANO-MASTER提供兆聲單晶圓&掩模清洗(SWC)系統(tǒng)，用于***的無損兆聲清洗。可以適用于易受損的帶圖案或無圖案的基片，包含帶保護(hù)膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達(dá)到**化的清洗效果，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的**技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面，通過分布能量的**化支持*理想的清洗，同時保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。

SWC系統(tǒng)提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進(jìn)一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng)，可以**程度節(jié)省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力，提供了可控的化學(xué)試劑在整個基片上的分布。

通過聯(lián)合使用化學(xué)試劑滴膠和NANO-MASTER的兆聲清洗技術(shù)，系統(tǒng)去除顆粒的能力得到進(jìn)一步優(yōu)化。顆粒從表面被釋放的能力也因此得到提升，從而被釋放的顆粒在幅流的DI水作用下被掃除出去，而把回附的數(shù)量降到了*低水平。從基片表面被去除。如果沒有使用幅流DI水的優(yōu)勢，***的靜態(tài)可循環(huán)兆聲清洗槽會有更大數(shù)量的顆粒回附，并且因此需要更多的去除這些顆粒。

此外，NANO-MASTER的清洗機都還提供了一系列的選配功能。PVA軟毛刷提供了機械的方式去除無圖案基片上的污點和殘膠。DI水臭氧化的選配項提供了有機物的去除，而無須腐蝕性的化學(xué)試劑。我們的氫化DI水系統(tǒng)跟兆聲能量結(jié)合可以達(dá)到納米級的顆粒去除。根據(jù)不同的應(yīng)用，某些選配項將會進(jìn)一步提高設(shè)備去除不想要的顆粒和殘留物的能力。

SWC系統(tǒng)能夠就地實現(xiàn)熱氮或異丙醇甩干?！案蛇M(jìn)干出” 一步工藝可以在我們的系統(tǒng)中以*低的投資和購置成本來實現(xiàn)。NANO-MASTER清洗機的工藝處理時間可以在3-5分鐘內(nèi)完成，具體是3分鐘還是5分鐘取決于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情況。

NANO-MASTER的技術(shù)也適用于清洗背部以及帶保護(hù)膜掩模版前面的對準(zhǔn)標(biāo)記，降低這些掩模版的不必要去除和重做保護(hù)膜的幾率。它也可以用于去除薄膜膠黏劑的黏附性并準(zhǔn)備表面以便再次覆膜。此外，帶薄膜掩模版的全部正面的兆聲清洗以及旋轉(zhuǎn)甩干可以做到無損并且對薄膜無滲漏。

SWC是一款帶有小占地面積的理想設(shè)備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設(shè)備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。

SWC-4000 (D)兆聲濕法去膠系統(tǒng)應(yīng)用：

• 光刻膠去除，剝離

• 帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片

• Ge， GaAs以及InP晶圓片清洗

• CMP處理后的晶圓片清洗

• 晶圓框架上的切粒芯片清洗

• 等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗

• 帶保護(hù)膜的分劃版清洗

• 掩模版空白部位或接觸部位清洗

• X射線及極紫外掩模版清洗

• 光學(xué)鏡頭清洗

• ITO涂覆的顯示面板清洗

• 兆聲輔助的剝離工藝

SWC-4000 (D)兆聲濕法去膠系統(tǒng)的特點：

• 支持12”直徑的圓片或9”x9”方片

• 獨立系統(tǒng)

• 無損兆聲，試劑，毛刷清洗及旋轉(zhuǎn)甩干

• 微處理機自動控制

• 化學(xué)試劑滴膠單元

• 溶劑與酸分離排廢

• 熱氮

• 30”D x 26”W 的占地面積

SWC-4000 (D)兆聲濕法去膠系統(tǒng)選配項：

• 機械手自動上下載片

• 掩模板或晶圓片夾具

• 臭氧清洗

• PVA軟毛刷清洗

• 高壓DI清洗

• 氮氣離子發(fā)生器